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RFQs / Order.
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Dioden - Gleichrichter - Arrays

VS-4CSH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH02-M3/87A

Teilbestand: 128271

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
VS-42CTQ030S-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42CTQ030S-1HM3

Teilbestand: 60706

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
SS8P3CLHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3CLHM3_A/I

Teilbestand: 149065

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
VS-6CWQ04FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FNTRHM3

Teilbestand: 83931

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
VS-12CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045STRR-M3

Teilbestand: 88987

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
UH4PDCHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PDCHM3_A/H

Teilbestand: 188540

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
VS-MBR6045WT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR6045WT-N3

Teilbestand: 11025

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
VS-40L45CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L45CW-N3

Teilbestand: 17070

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
VS-40CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ045STRR-M3

Teilbestand: 57459

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
SS8P2CL-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CL-M3/87A

Teilbestand: 186416

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 540mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
VS-30CPQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ045-N3

Teilbestand: 12874

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 540mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
SRS16100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100 MNG

Teilbestand: 131

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
SRS2020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2020HMNG

Teilbestand: 151

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
MBRF15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CTHC0G

Teilbestand: 107

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
MBRF20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CT C0G

Teilbestand: 138

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
MBRS2560CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CTHMNG

Teilbestand: 115

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 25A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
SRF1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1640 C0G

Teilbestand: 119

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
MBRS2535CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2535CT MNG

Teilbestand: 160

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
MBRS2060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2060CT MNG

Teilbestand: 128

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
GP1601HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601HC0G

Teilbestand: 93

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
SRS1060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1060HMNG

Teilbestand: 164

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
SRS2030 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2030 MNG

Teilbestand: 94

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
SRS1660 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660 MNG

Teilbestand: 98

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
SR20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20100 C0G

Teilbestand: 94

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L100CTHC0G

Teilbestand: 142

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
UG2004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2004PT C0G

Teilbestand: 88

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 930mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
SR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3060PT C0G

Teilbestand: 141

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
MBRS1060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1060CT MNG

Teilbestand: 127

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
FERD40L60CG-TR
STMicroelectronics

FERD40L60CG-TR

Teilbestand: 101

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: FERD (Field Effect Rectifier Diode), Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 545mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
CDBD2045-G
Comchip Technology

CDBD2045-G

Teilbestand: 111182

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
CDBT-54C-G
Comchip Technology

CDBT-54C-G

Teilbestand: 118616

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
CDBGBSC101200-G
Comchip Technology

CDBGBSC101200-G

Teilbestand: 79

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 18A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel.
DB3J315E0L
Panasonic Electronic Components

DB3J315E0L

Teilbestand: 176834

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
DA204KT146
Rohm Semiconductor

DA204KT146

Teilbestand: 177494

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.
RBQ10NS45AFHTL
Rohm Semiconductor

RBQ10NS45AFHTL

Teilbestand: 92

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.
RB550EATR
Rohm Semiconductor

RB550EATR

Teilbestand: 110897

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.