Dioden - Gleichrichter - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

MBRS1590CTHMNG

Teilbestand: 163

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640 C0G

Teilbestand: 143

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10150CTHMNG

Teilbestand: 156

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1590CT C0G

Teilbestand: 127

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1008GA C0G

Teilbestand: 143

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1660CT C0G

Teilbestand: 81

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25150CTHC0G

Teilbestand: 116

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.02V @ 25A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20100 C0G

Teilbestand: 146

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1608G C0G

Teilbestand: 150

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2060CTHMNG

Teilbestand: 137

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035PTHC0G

Teilbestand: 109

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1605HC0G

Teilbestand: 150

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3050CTHC0G

Teilbestand: 74

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1601PT C0G

Teilbestand: 135

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1640 MNG

Teilbestand: 131

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1660 C0G

Teilbestand: 97

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1005GHC0G

Teilbestand: 125

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10150HMNG

Teilbestand: 144

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1640CT C0G

Teilbestand: 97

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1630 C0G

Teilbestand: 147

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1550CT C0G

Teilbestand: 148

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1545CTHC0G

Teilbestand: 161

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1007HC0G

Teilbestand: 86

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150CT C0G

Teilbestand: 66

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.02V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30100CTHC0G

Teilbestand: 145

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 940mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01HM3/86A

Teilbestand: 172973

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTLHM3

Teilbestand: 72567

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MSRTA40060(A)

Teilbestand: 1225

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 400A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MSRTA30060(A)

Teilbestand: 1358

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 300A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

Teilbestand: 1332

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Micro Commercial Co

MD120A16D1-BP

Teilbestand: 2476

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

Teilbestand: 125

Diodenkonfiguration: 2 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.

Comchip Technology

CDBT-54A-G

Teilbestand: 127135

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.

Comchip Technology

CDBD2040-HF

Teilbestand: 111207

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Comchip Technology

CDBT-70S-G

Teilbestand: 135361

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 70mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 15mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.

ON Semiconductor

MBRF30H100CTG

Teilbestand: 61073

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.