Dioden - Gleichrichter - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

MBR15150CTHC0G

Teilbestand: 100

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.05V @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1608PT C0G

Teilbestand: 121

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CTHC0G

Teilbestand: 135

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 12.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

SR10150 C0G

Teilbestand: 104

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1001 C0G

Teilbestand: 148

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CT C0G

Teilbestand: 109

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640PTHC0G

Teilbestand: 95

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035PT C0G

Teilbestand: 85

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3045CTHC0G

Teilbestand: 83

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30L120CTHC0G

Teilbestand: 143

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1620CT C0G

Teilbestand: 126

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3050CT C0G

Teilbestand: 94

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 770mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20100PT C0G

Teilbestand: 129

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CT MNG

Teilbestand: 95

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 25A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF25150CT C0G

Teilbestand: 74

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.02V @ 25A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150CTHC0G

Teilbestand: 115

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.02V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Sanken

FMX-4206S

Teilbestand: 40926

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Sanken

MPL-102SVR

Teilbestand: 80794

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB3045CTR-M3

Teilbestand: 78011

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 760mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNHM3

Teilbestand: 81440

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 3.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 960mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

V6KL45DUHM3/I

Teilbestand: 118437

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 540mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH02HM3/86A

Teilbestand: 185066

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ06FN-M3

Teilbestand: 187229

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2035CT-M3

Teilbestand: 101507

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2045CT-1-M3

Teilbestand: 99402

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CSH02-M3/87A

Teilbestand: 179933

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ100-1-M3

Teilbestand: 86626

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 860mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

GeneSiC Semiconductor

MSRT250160(A)

Teilbestand: 1410

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 250A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 250A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Panasonic Electronic Components

DB3S314F0L

Teilbestand: 152564

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

MBR3050CTE3/TU

Teilbestand: 83420

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Comchip Technology

C3045CT-G

Teilbestand: 80

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

STMicroelectronics

STTH2002CR

Teilbestand: 34228

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

STMicroelectronics

STTH16R04CG-TR

Teilbestand: 73963

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Rohm Semiconductor

RB238NS150FHTL

Teilbestand: 88

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.

Rohm Semiconductor

RB095BGE-60TL

Teilbestand: 69

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 3A,

Wunschzettel.

ON Semiconductor

NRVHP8H200MFDT3G

Teilbestand: 131

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 910mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel.