Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

DTA143TET1G

Teilbestand: 69474

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

FJY3010R

Teilbestand: 1852

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.

DTA123EET1G

Teilbestand: 85484

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

DTC114TET1

Teilbestand: 1879

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

DTC114EET1G

Teilbestand: 127585

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

MUN5233T1G

Teilbestand: 117722

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

DTA144EET1

Teilbestand: 1941

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

SMUN5212T1G

Teilbestand: 147694

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

MMUN2133LT1G

Teilbestand: 178536

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

MUN2214T3G

Teilbestand: 105940

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

MUN5131T1G

Teilbestand: 138029

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

Toshiba Semiconductor and Storage

DTC114TET1G

Teilbestand: 155262

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.

RN1113MFV,L3F

Teilbestand: 1776

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105ACT(TPL3)

Teilbestand: 181928

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTC115TT,215

Teilbestand: 198275

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTA124XT,215

Teilbestand: 154374

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTB123YUX

Teilbestand: 127684

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTC114TT,215

Teilbestand: 149670

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTA144TT,215

Teilbestand: 149748

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTA144VT,215

Teilbestand: 176756

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTB143EUF

Teilbestand: 118961

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTC114TU,115

Teilbestand: 150658

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTC144EU,115

Teilbestand: 172806

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

PDTB123ET,215

Teilbestand: 124829

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.

DTD743ZETL

Teilbestand: 100832

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Wunschzettel.

DTA114EKAT146

Teilbestand: 162648

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

DTC123JKAT146

Teilbestand: 111843

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

DTA114WETL

Teilbestand: 162611

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.

DTA114TEBTL

Teilbestand: 140730

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.

DTC114EUAT106

Teilbestand: 158959

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.

DTC143ZMT2L

Teilbestand: 187626

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.