Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

MMUN2114LT3G

MMUN2114LT3G

Teilbestand: 187153

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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FJY3008R

FJY3008R

Teilbestand: 1932

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

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FJN4302RTA

FJN4302RTA

Teilbestand: 136395

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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DTC143ZET1G

DTC143ZET1G

Teilbestand: 180882

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MUN2138T1G

MUN2138T1G

Teilbestand: 175034

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

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SDTC114YET1G

SDTC114YET1G

Teilbestand: 161592

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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DTC123EET1

DTC123EET1

Teilbestand: 1903

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 2.2 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
FJY3005R

FJY3005R

Teilbestand: 3252

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

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MUN5236T1G

MUN5236T1G

Teilbestand: 64090

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
MUN2136T1G

MUN2136T1G

Teilbestand: 106226

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 100 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 100 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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SMUN2211T3G

SMUN2211T3G

Teilbestand: 148308

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

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MMUN2235LT1G

MMUN2235LT1G

Teilbestand: 184539

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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MMUN2212LT1G

MMUN2212LT1G

Teilbestand: 140893

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

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DTC143ZUBHZGTL

DTC143ZUBHZGTL

Teilbestand: 1804

Transistortyp: NPN - Pre-Biased + Diode, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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DTC143TUAT106

DTC143TUAT106

Teilbestand: 199169

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DTD143ECT216

DTD143ECT216

Teilbestand: 111978

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

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DTA143ZUBTL

DTA143ZUBTL

Teilbestand: 199261

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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DTA114YUBTL

DTA114YUBTL

Teilbestand: 142067

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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DTA114TETL

DTA114TETL

Teilbestand: 151729

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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DTA143TKAT146

DTA143TKAT146

Teilbestand: 196644

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.
DTA044EEBTL

DTA044EEBTL

Teilbestand: 119080

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
DTC043ZEBTL

DTC043ZEBTL

Teilbestand: 178756

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Wunschzettel.
DTC144EETL

DTC144EETL

Teilbestand: 109417

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
DTA144EEBHZGTL

DTA144EEBHZGTL

Teilbestand: 1772

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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DDTD113ZC-7-F

DDTD113ZC-7-F

Teilbestand: 129814

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 1 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTC143XTVL

PDTC143XTVL

Teilbestand: 193798

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTA114ET,235

PDTA114ET,235

Teilbestand: 124066

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTA143XT,215

PDTA143XT,215

Teilbestand: 187990

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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PDTA143XU,115

PDTA143XU,115

Teilbestand: 145460

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 4.7 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTA124TU,115

PDTA124TU,115

Teilbestand: 150594

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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PDTA114YT,215

PDTA114YT,215

Teilbestand: 151527

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTA144ET,215

PDTA144ET,215

Teilbestand: 117774

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTC114ET,235

PDTC114ET,235

Teilbestand: 138835

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Wunschzettel.
PDTA114YU,115

PDTA114YU,115

Teilbestand: 132621

Transistortyp: PNP - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 10 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

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RN1115MFV,L3F

RN1115MFV,L3F

Teilbestand: 116839

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 2.2 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 10 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

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UNR32AT00L

UNR32AT00L

Teilbestand: 195845

Transistortyp: NPN - Pre-Biased, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Widerstand - Basis (R1): 22 kOhms, Widerstand - Emitterbasis (R2): 47 kOhms, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

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