Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 39

MAT01GH

Teilbestand: 3534

Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA,

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Analog Devices Inc.

SSM2212CPZ-RL

Teilbestand: 17521

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 15V,

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Analog Devices Inc.

MAT14ARZ-RL

Teilbestand: 11095

Transistortyp: 4 NPN (Quad) Matched Pairs, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 60mV @ 100µA, 1mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 3nA,

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Analog Devices Inc.

MAT03EHZ

Teilbestand: 4479

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 36V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

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Rohm Semiconductor

UMY1NTR

Teilbestand: 105089

Transistortyp: NPN, PNP (Emitter Coupled), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

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Rohm Semiconductor

UMB2NFHATN

Teilbestand: 120

Transistortyp: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

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Rohm Semiconductor

UMB3NFHATN

Teilbestand: 123

Transistortyp: 2 PNP Pre-Biased (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PMBT3946VPN,115

Teilbestand: 148127

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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Nexperia USA Inc.

PMP4501V,115

Teilbestand: 117231

Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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Nexperia USA Inc.

PEMZ1,115

Teilbestand: 155883

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

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Nexperia USA Inc.

PMBT3904VS,115

Teilbestand: 198170

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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Nexperia USA Inc.

PEMX1,315

Teilbestand: 141674

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Wunschzettel.

Nexperia USA Inc.

PMP4501QASZ

Teilbestand: 97

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V,

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Nexperia USA Inc.

PBSS5130PAP,115

Teilbestand: 169332

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V,

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ON Semiconductor

SBC846BPDW1T2G

Teilbestand: 175944

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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ON Semiconductor

NST3946DP6T5G

Teilbestand: 152851

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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ON Semiconductor

CPH5505-TL-E

Teilbestand: 166597

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 230mV @ 30mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

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ON Semiconductor

NSVBC848CDW1T1G

Teilbestand: 125941

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

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ON Semiconductor

NSV40300MDR2G

Teilbestand: 148007

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Wunschzettel.

ON Semiconductor

EMT1DXV6T1

Teilbestand: 4480

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Wunschzettel.

ON Semiconductor

NST847BDP6T5G

Teilbestand: 165488

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Wunschzettel.

ON Semiconductor

NST65010MW6T1G

Teilbestand: 196459

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Wunschzettel.

ON Semiconductor

NST847BPDP6T5G

Teilbestand: 170917

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V,

Wunschzettel.

ON Semiconductor

SBC847BPDW1T1G

Teilbestand: 147868

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Wunschzettel.

ON Semiconductor

FMB5551

Teilbestand: 161037

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZXTDAM832TA

Teilbestand: 4629

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V,

Wunschzettel.

Diodes Incorporated

ZDT705TC

Teilbestand: 4410

Transistortyp: 2 PNP Darlington (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V,

Wunschzettel.

Diodes Incorporated

ZXTP56020FDBQ-7

Teilbestand: 9974

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V,

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

Teilbestand: 4491

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Wunschzettel.

Microsemi Corporation

SG2803J-883B

Teilbestand: 4488

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Wunschzettel.

Sanken

SMA6010

Teilbestand: 14708

Transistortyp: 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 4V,

Wunschzettel.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Teilbestand: 4365

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

Teilbestand: 167758

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel.

Central Semiconductor Corp

MPQ6700

Teilbestand: 15034

Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V,

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Renesas Electronics America Inc.

CA3083

Teilbestand: 4402

Transistortyp: 5 NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 3V,

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STMicroelectronics

ULN2804A

Teilbestand: 67807

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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