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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

ZDT6718TC
Diodes Incorporated

ZDT6718TC

Teilbestand: 4485

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V,

Wunschzettel.
MMDT2227-7
Diodes Incorporated

MMDT2227-7

Teilbestand: 4423

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.
ZDT6758TA
Diodes Incorporated

ZDT6758TA

Teilbestand: 4405

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V,

Wunschzettel.
ZDT6702TA
Diodes Incorporated

ZDT6702TA

Teilbestand: 4463

Transistortyp: NPN, PNP Darlington (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.75A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.28V @ 2mA, 1.75A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V,

Wunschzettel.
MMDT2222A-7-F
Diodes Incorporated

MMDT2222A-7-F

Teilbestand: 113190

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.
ULN2001D1013TR
STMicroelectronics

ULN2001D1013TR

Teilbestand: 116684

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Wunschzettel.
L6221CD013TR
STMicroelectronics

L6221CD013TR

Teilbestand: 4447

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V,

Wunschzettel.
E-ULN2001A
STMicroelectronics

E-ULN2001A

Teilbestand: 4468

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Wunschzettel.
PMP4201G,135
Nexperia USA Inc.

PMP4201G,135

Teilbestand: 169899

Transistortyp: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Wunschzettel.
PBSS4260PANSX
Nexperia USA Inc.

PBSS4260PANSX

Teilbestand: 103156

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V,

Wunschzettel.
PUMT1,115
Nexperia USA Inc.

PUMT1,115

Teilbestand: 186793

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Wunschzettel.
PBSS4041SPN,115
Nexperia USA Inc.

PBSS4041SPN,115

Teilbestand: 155017

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6.7A, 5.9A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 350mA, 7A / 275mV @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 4A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

Wunschzettel.
XP0140100L
Panasonic Electronic Components

XP0140100L

Teilbestand: 4443

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.
XN0150900L
Panasonic Electronic Components

XN0150900L

Teilbestand: 151617

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.
DMA201010R
Panasonic Electronic Components

DMA201010R

Teilbestand: 187921

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.
XP0643500L
Panasonic Electronic Components

XP0643500L

Teilbestand: 4573

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 10V,

Wunschzettel.
XN0250100L
Panasonic Electronic Components

XN0250100L

Teilbestand: 4500

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Wunschzettel.
XN0450200L
Panasonic Electronic Components

XN0450200L

Teilbestand: 4419

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.
ULN2004AINSE4
Texas Instruments

ULN2004AINSE4

Teilbestand: 4436

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

Wunschzettel.
ULN2004AINS
Texas Instruments

ULN2004AINS

Teilbestand: 4448

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

Wunschzettel.
ULN2003ANSRE4
Texas Instruments

ULN2003ANSRE4

Teilbestand: 161418

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

Wunschzettel.
NSVT3946DP6T5G
ON Semiconductor

NSVT3946DP6T5G

Teilbestand: 194061

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V / 100 @ 10mA, 1V,

Wunschzettel.
EMX2DXV6T5G
ON Semiconductor

EMX2DXV6T5G

Teilbestand: 131066

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Wunschzettel.
NST65011MW6T1G
ON Semiconductor

NST65011MW6T1G

Teilbestand: 154437

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 65V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Wunschzettel.
NSS40300DDR2G
ON Semiconductor

NSS40300DDR2G

Teilbestand: 115078

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

Wunschzettel.
HN1B01FDW1T1G
ON Semiconductor

HN1B01FDW1T1G

Teilbestand: 165648

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel.
MCH6536-TL-E
ON Semiconductor

MCH6536-TL-E

Teilbestand: 6450

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700mA, 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Wunschzettel.
FMBM5551
ON Semiconductor

FMBM5551

Teilbestand: 187576

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Wunschzettel.
JANTX2N3810U
Microsemi Corporation

JANTX2N3810U

Teilbestand: 1675

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Wunschzettel.
JANTX2N6987
Microsemi Corporation

JANTX2N6987

Teilbestand: 1284

Transistortyp: 4 PNP (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.
MD2369
Central Semiconductor Corp

MD2369

Teilbestand: 4474

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Wunschzettel.
MD2905
Central Semiconductor Corp

MD2905

Teilbestand: 4460

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.
STA413A
Sanken

STA413A

Teilbestand: 19183

Transistortyp: 4 NPN (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V,

Wunschzettel.
STA403A
Sanken

STA403A

Teilbestand: 23201

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 100V @ 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 4V,

Wunschzettel.
SMBT3906SE6327HTSA1
Infineon Technologies

SMBT3906SE6327HTSA1

Teilbestand: 4488

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Wunschzettel.
IMZ1AT108
Rohm Semiconductor

IMZ1AT108

Teilbestand: 154056

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Wunschzettel.