Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

ZXTC2045E6TA

Teilbestand: 110341

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 375mV @ 15mA, 750mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

ZDT749TA

Teilbestand: 129856

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

DMMT3906W-7-F

Teilbestand: 181208

Transistortyp: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MMDT5451-7-F

Teilbestand: 167767

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V,

MMDT5401-7-F

Teilbestand: 182653

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

DMMT5401-7-F

Teilbestand: 172337

Transistortyp: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

MPQ6100A

Teilbestand: 12617

Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO),

MMPQ6502 TR13

Teilbestand: 68915

Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 30nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V,

SMBT3904PNH6327XTSA1

Teilbestand: 156277

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

SMBT3904UPNE6327HTSA1

Teilbestand: 111058

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

MBT6429DW1T1G

Teilbestand: 148064

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V,

FMB2222A

Teilbestand: 122894

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

FMB3904

Teilbestand: 189078

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

SBC857BDW1T1G

Teilbestand: 138095

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

MMPQ2222A

Teilbestand: 86758

Transistortyp: 4 NPN (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

MBT3906DW1T1G

Teilbestand: 132235

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

PMBT3904YS,115

Teilbestand: 103201

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

PHPT610030NKX

Teilbestand: 180091

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 10V,

PBSS4140DPN,115

Teilbestand: 196748

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

ULN2803ADWRG4

Teilbestand: 116432

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA,

ULN2003APWR

Teilbestand: 179434

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

FMY6T148

Teilbestand: 135715

IMX4T108

Teilbestand: 100111

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V,

IMX1T110

Teilbestand: 173974

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

IMT3AT108

Teilbestand: 134476

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

IMT1AT108

Teilbestand: 164469

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

QST9TR

Teilbestand: 143655

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

QSZ1TR

Teilbestand: 170900

Transistortyp: NPN, PNP (Emitter Coupled), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

UMZ8NTR

Teilbestand: 154383

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V,

ULN2004D1013TR

Teilbestand: 192796

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,