Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Zener - Arrays

DZ23C5V1-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C5V1-HE3-18

Teilbestand: 150494

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 800mV,

Wunschzettel.
DZ23C4V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C4V7-G3-18

Teilbestand: 102574

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 78 Ohms,

Wunschzettel.
DZ23C10-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C10-HE3-18

Teilbestand: 138001

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7.5V,

Wunschzettel.
DZ23C4V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C4V7-HE3-08

Teilbestand: 101071

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 78 Ohms,

Wunschzettel.
DZ23C12-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C12-E3-18

Teilbestand: 154282

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 9V,

Wunschzettel.
MMBZ27VDA-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBZ27VDA-E3-08

Teilbestand: 160130

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Leistung max: 225mW, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 80nA @ 22V,

Wunschzettel.
DZ23C6V8-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C6V8-HE3-18

Teilbestand: 187173

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 3V,

Wunschzettel.
DZ23C43-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C43-HE3-08

Teilbestand: 193352

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 32V,

Wunschzettel.
DZ23B5V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23B5V6-E3-08

Teilbestand: 1255

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V,

Wunschzettel.
DZ23C11-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C11-HE3-18

Teilbestand: 166312

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8.5V,

Wunschzettel.
DZ23C8V2-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C8V2-E3-18

Teilbestand: 113447

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6V,

Wunschzettel.
DZ23C3V6-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C3V6-E3-08

Teilbestand: 151351

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms,

Wunschzettel.
DZ23C6V8-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C6V8-G3-08

Teilbestand: 138130

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 3V,

Wunschzettel.
DZ23C9V1-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C9V1-G3-18

Teilbestand: 134937

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7V,

Wunschzettel.
DZ23C3V0-7
Diodes Incorporated

DZ23C3V0-7

Teilbestand: 1214

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms,

Wunschzettel.
MMBZ5231BS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5231BS-7-F

Teilbestand: 166463

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 2V,

Wunschzettel.
MMBZ5250BS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5250BS-7-F

Teilbestand: 16216

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V,

Wunschzettel.
DZ23C10-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C10-7-F

Teilbestand: 102393

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms,

Wunschzettel.
MMBZ5229BS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5229BS-7-F

Teilbestand: 122572

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 22 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1V,

Wunschzettel.
DZ23C9V1-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C9V1-7-F

Teilbestand: 129125

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms,

Wunschzettel.
DZ23C11-7
Diodes Incorporated

DZ23C11-7

Teilbestand: 3177

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms,

Wunschzettel.
DZ23C9V1-7
Diodes Incorporated

DZ23C9V1-7

Teilbestand: 1217

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms,

Wunschzettel.
MMBZ5221BS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5221BS-7-F

Teilbestand: 120999

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V,

Wunschzettel.
MMBZ5255BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5255BS-7

Teilbestand: 1243

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 28V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 44 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 21V,

Wunschzettel.
MMBZ5246BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5246BS-7

Teilbestand: 1234

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 17 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V,

Wunschzettel.
MMBZ5239BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5239BTS-7-F

Teilbestand: 169351

Aufbau: 3 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 7V,

Wunschzettel.
MMBZ5221BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5221BS-7

Teilbestand: 1186

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1V,

Wunschzettel.
CMSZDA11V TR
Central Semiconductor Corp

CMSZDA11V TR

Teilbestand: 112420

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 275mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 8V,

Wunschzettel.
DZ4J051K0R
Panasonic Electronic Components

DZ4J051K0R

Teilbestand: 124139

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2V,

Wunschzettel.
DZ4J082K0R
Panasonic Electronic Components

DZ4J082K0R

Teilbestand: 107576

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V,

Wunschzettel.
DZ4J130K0R
Panasonic Electronic Components

DZ4J130K0R

Teilbestand: 123723

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 35 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 10V,

Wunschzettel.
MAZT062HGL
Panasonic Electronic Components

MAZT062HGL

Teilbestand: 3156

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Leistung max: 150mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 4V,

Wunschzettel.
UMZ18NT106
Rohm Semiconductor

UMZ18NT106

Teilbestand: 114532

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Leistung max: 200mW, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 13V,

Wunschzettel.
UMZ27NT106
Rohm Semiconductor

UMZ27NT106

Teilbestand: 156921

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Leistung max: 200mW, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 21V,

Wunschzettel.
STZ6.2NFHT146
Rohm Semiconductor

STZ6.2NFHT146

Teilbestand: 9982

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.11V, Toleranz: ±4.83%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 3V,

Wunschzettel.
PZU8.2DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU8.2DB2,115

Teilbestand: 1262

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 250mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 5V,

Wunschzettel.