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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Zener - Arrays

DZ23C20-7
Diodes Incorporated

DZ23C20-7

Teilbestand: 3196

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms,

Wunschzettel.
DZ23C12-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C12-7-F

Teilbestand: 193105

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms,

Wunschzettel.
DZ23C39-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C39-7-F

Teilbestand: 122324

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms,

Wunschzettel.
MMBZ5232BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5232BTS-7-F

Teilbestand: 162484

Aufbau: 3 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 11 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 3V,

Wunschzettel.
MMBZ5238BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5238BS-7

Teilbestand: 1197

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 6.5V,

Wunschzettel.
MMBZ5245BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5245BS-7

Teilbestand: 1178

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 16 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11V,

Wunschzettel.
DZ23C15-7
Diodes Incorporated

DZ23C15-7

Teilbestand: 1183

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms,

Wunschzettel.
MMBZ5254BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5254BTS-7-F

Teilbestand: 167179

Aufbau: 3 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 41 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 21V,

Wunschzettel.
DZ23C16-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C16-7-F

Teilbestand: 158155

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms,

Wunschzettel.
DZ23C43-7
Diodes Incorporated

DZ23C43-7

Teilbestand: 1199

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms,

Wunschzettel.
DZ23C8V2-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C8V2-7-F

Teilbestand: 124179

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms,

Wunschzettel.
MMBZ5232BS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5232BS-7-F

Teilbestand: 142390

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 11 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 3V,

Wunschzettel.
DZ23C33-7
Diodes Incorporated

DZ23C33-7

Teilbestand: 1193

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms,

Wunschzettel.
MMBZ5256BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5256BS-7

Teilbestand: 1236

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 49 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 23V,

Wunschzettel.
DZ23C47-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C47-HE3-08

Teilbestand: 157164

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 35V,

Wunschzettel.
DZ23C7V5-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C7V5-G3-08

Teilbestand: 167560

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V,

Wunschzettel.
DZ23B24-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23B24-G3-08

Teilbestand: 3217

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V,

Wunschzettel.
DZ23C24-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C24-G3-08

Teilbestand: 158348

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V,

Wunschzettel.
DZ23C51-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C51-E3-18

Teilbestand: 123392

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 38V,

Wunschzettel.
DZ23C30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C30-E3-18

Teilbestand: 113513

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 22.5V,

Wunschzettel.
DZ23C13-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C13-HE3-08

Teilbestand: 181755

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V,

Wunschzettel.
DZ23C12-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C12-E3-08

Teilbestand: 149897

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 9V,

Wunschzettel.
DZ23C15-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C15-E3-18

Teilbestand: 177185

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11V,

Wunschzettel.
DZ23C27-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C27-E3-08

Teilbestand: 152575

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 20V,

Wunschzettel.
DZ23C36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C36-G3-18

Teilbestand: 108813

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27V,

Wunschzettel.
DZ23C13-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C13-HE3-18

Teilbestand: 148117

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V,

Wunschzettel.
DZ23C7V5-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C7V5-E3-08

Teilbestand: 112579

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V,

Wunschzettel.
DZ23C7V5-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C7V5-HE3-18

Teilbestand: 128911

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V,

Wunschzettel.
DZ23C43-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C43-E3-08

Teilbestand: 145220

Aufbau: 1 Pair Common Cathode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 32V,

Wunschzettel.
PZU18DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU18DB2,115

Teilbestand: 3138

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 250mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 13V,

Wunschzettel.
PZU15DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU15DB2,115

Teilbestand: 1212

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 250mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50nA @ 11V,

Wunschzettel.
PZU10DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU10DB2,115

Teilbestand: 140252

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 250mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7V,

Wunschzettel.
CMSZDA10V TR
Central Semiconductor Corp

CMSZDA10V TR

Teilbestand: 144962

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 275mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 200nA @ 7V,

Wunschzettel.
CMSZDA5V6 TR
Central Semiconductor Corp

CMSZDA5V6 TR

Teilbestand: 139769

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 275mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 2V,

Wunschzettel.
UMZ30KFHTL
Rohm Semiconductor

UMZ30KFHTL

Teilbestand: 1181

Aufbau: 2 Independent, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 29.94V, Toleranz: ±2.51%, Leistung max: 200mW, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 23V,

Wunschzettel.
UMZ16NT106
Rohm Semiconductor

UMZ16NT106

Teilbestand: 139122

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Leistung max: 200mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V,

Wunschzettel.