Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

EFC2J017NUZTDG

Teilbestand: 166927

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

FDMS3669S

Teilbestand: 164375

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A, 18A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

EFC4627R-TR

Teilbestand: 182266

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDG6332C

Teilbestand: 126485

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 700mA, 600mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDC6303N

Teilbestand: 175306

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 680mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FW216A-TL-2WX

Teilbestand: 3039

ECH8691-TL-W

Teilbestand: 147834

NVMFD5489NLWFT3G

Teilbestand: 97513

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

FDS6961A

Teilbestand: 151064

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NVMFD5C478NLWFT1G

Teilbestand: 6481

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 20µA,

FDMD8280

Teilbestand: 48032

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

EFC4621R-TR

Teilbestand: 191534

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDG6304P-X

Teilbestand: 2943

CSD87334Q3D

Teilbestand: 121075

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 12A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

CSD87503Q3ET

Teilbestand: 4047

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

CSD88539ND

Teilbestand: 153712

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.6V @ 250µA,

DMNH6021SPDQ-13

Teilbestand: 153434

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.2A, 32A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

DMN61D8LVT-13

Teilbestand: 146214

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

ZXMHC10A07N8TC

Teilbestand: 135940

FET-Typ: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA, 680mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

ZXMC3A16DN8TC

Teilbestand: 118900

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A, 4.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

DMP2075UFDB-7

Teilbestand: 218

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

DMP1046UFDB-7

Teilbestand: 127126

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

SQJ844AEP-T1_GE3

Teilbestand: 165127

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.6 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

SI4511DY-T1-E3

Teilbestand: 3311

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.2A, 4.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.8V @ 250µA,

SI5511DC-T1-GE3

Teilbestand: 3024

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

SSM6N357R,LF

Teilbestand: 16211

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 650mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

SSM6P35FE(TE85L,F)

Teilbestand: 121978

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

GWM120-0075P3

Teilbestand: 2981

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 118A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

FMP26-02P

Teilbestand: 4082

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A, 17A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 250µA,

GWM180-004X2-SLSAM

Teilbestand: 3050

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 1mA,

SLA5060

Teilbestand: 10412

FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 220 mOhm @ 3A, 4V,

SLA5073

Teilbestand: 12628

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

EPC2104ENGRT

Teilbestand: 13673

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 5.5mA,

EPC2101ENGRT

Teilbestand: 13969

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A, 38A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 2mA,

IRF8915TRPBF

Teilbestand: 198689

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

NX138BKSX

Teilbestand: 123100

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 210mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,