Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

UT6MA3TCR

Teilbestand: 168810

FET-Typ: N and P-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

US6K4TR

Teilbestand: 182371

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

SI4963BDY-T1-E3

Teilbestand: 147270

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

SI1926DL-T1-GE3

Teilbestand: 137693

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 370mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 340mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

SQJQ906E-T1_GE3

Teilbestand: 8627

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

SI4542DY-T1-E3

Teilbestand: 5348

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA (Min),

SIZ320DT-T1-GE3

Teilbestand: 9923

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), 40A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

SIZ926DT-T1-GE3

Teilbestand: 127180

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), 60A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

DMP2100UFU-13

Teilbestand: 120668

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 38 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

DMP56D0UV-7

Teilbestand: 162948

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

DMTH4011SPDQ-13

Teilbestand: 10790

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

DMN1033UCB4-7

Teilbestand: 176877

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate,

DMN62D0UT-7

Teilbestand: 168813

DMP4050SSD-13

Teilbestand: 182962

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

DMP4050SSDQ-13

Teilbestand: 118936

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

DMN2990UDJ-7

Teilbestand: 123709

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 450mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMC1028UFDB-13

Teilbestand: 170162

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 5.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMC31D5UDJ-7

Teilbestand: 115591

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA, 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMN5L06DWK-7

Teilbestand: 166070

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 305mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

DMN3032LFDBQ-13

Teilbestand: 174423

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

FDS8984_F123

Teilbestand: 2990

NTTFS5C466NLTAG

Teilbestand: 287

FET-Typ: N-Channel, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), 51A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

FDMC8032L

Teilbestand: 190294

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTZD3155CT5G

Teilbestand: 3321

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTHD4401PT3G

Teilbestand: 2940

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

NVMFD5C478NLT1G

Teilbestand: 6504

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.5A (Ta), 29A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 20µA,

SSD2009ATF

Teilbestand: 2953

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

HCT802TXV

Teilbestand: 1527

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 90V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, 1.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

VMM90-09F

Teilbestand: 423

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 85A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 76 mOhm @ 65A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 30mA,

GWM180-004X2-SMDSAM

Teilbestand: 3093

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 1mA,

VMM1500-0075P

Teilbestand: 2957

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1500A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.8 mOhm @ 1200A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 10mA,

CAS325M12HM2

Teilbestand: 70

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 444A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 400A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 105mA,

FCAB21490L1

Teilbestand: 124322

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 1.11mA,

SSM6L35FU(TE85L,F)

Teilbestand: 156233

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA, 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

EPC2103ENGRT

Teilbestand: 13895

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 7mA,

STS8C5H30L

Teilbestand: 97728

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, 5.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,