Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

FDS9933A

Teilbestand: 190178

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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FDC6506P

Teilbestand: 194858

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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NVMFD5483NLT1G

Teilbestand: 65498

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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FDC6305N

Teilbestand: 129016

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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NTUD3129PT5G

Teilbestand: 2940

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 140mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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NVMFD5875NLT1G

Teilbestand: 155747

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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FDMS3668S

Teilbestand: 82251

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A, 18A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 13A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 250µA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

NVMFD5C470NLWFT1G

Teilbestand: 277

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.5 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 20µA,

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Infineon Technologies

FF11MR12W1M1B11BOMA1

Teilbestand: 3093

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 100A, 15V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5.55V @ 40mA,

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Infineon Technologies

IRF6723M2DTR1P

Teilbestand: 3004

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.35V @ 25µA,

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TSM6968SDCA RVG

Teilbestand: 9997

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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DMN2016LHAB-7

Teilbestand: 190312

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.5 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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DMG1016VQ-13

Teilbestand: 163191

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 870mA, 640mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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DMC1030UFDB-13

Teilbestand: 115059

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A (Ta), 3.9A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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DMN2029USD-13

Teilbestand: 136935

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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ZXMHC6A07T8TA

Teilbestand: 83548

FET-Typ: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.6A, 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SH8M41TB1

Teilbestand: 127833

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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QH8KA4TCR

Teilbestand: 78816

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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TT8J21TR

Teilbestand: 169061

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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SH8J66TB1

Teilbestand: 75609

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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SI3590DV-T1-GE3

Teilbestand: 199636

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, 1.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 77 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SI7998DP-T1-GE3

Teilbestand: 103462

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A, 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SIA915DJ-T4-GE3

Teilbestand: 2966

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A (Ta), 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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SIZ322DT-T1-GE3

Teilbestand: 266

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.35 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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SI5944DU-T1-GE3

Teilbestand: 2992

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 112 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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