Teilbestand: 14216
FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: GaNFET (Gallium Nitride), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA,