Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

2DD2098R-13

Teilbestand: 183777

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

2DA1971-13

Teilbestand: 130295

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

2SC6026MFVGR,L3F

Teilbestand: 189199

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

2SA1832-GR,LF

Teilbestand: 172547

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

2SC6076(TE16L1,NV)

Teilbestand: 135662

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

2SA1587-BL,LF

Teilbestand: 106998

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

2N6426

Teilbestand: 165391

2N5375

Teilbestand: 117106

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N6520

Teilbestand: 149614

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V,

2N2907

Teilbestand: 71827

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N6388

Teilbestand: 103345

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V,

2N6491

Teilbestand: 57368

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

2N6488

Teilbestand: 98952

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

2N3715

Teilbestand: 10976

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 5A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V,

2PD2150,115

Teilbestand: 166562

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

2PB1424,115

Teilbestand: 191886

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

2SA1213-Y-TP

Teilbestand: 192551

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

2SAR542F3TR

Teilbestand: 191966

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

2SAR553RTL

Teilbestand: 170732

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

2SD2672TL

Teilbestand: 168124

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 40mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

2SD2657TL

Teilbestand: 158423

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

2SAR514RTL

Teilbestand: 156809

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 700mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

2SB1710TL

Teilbestand: 173205

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

2SD2674TL

Teilbestand: 154446

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

2SCR544RTL

Teilbestand: 150595

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

2SCR512RTL

Teilbestand: 195863

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

2SB0942AP

Teilbestand: 39635

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 700µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V,

2STR1215

Teilbestand: 199864

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 850mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

2STF1360

Teilbestand: 106410

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

2STR1240

Teilbestand: 104759

2SD1047

Teilbestand: 18837

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 140V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 1A, 5V,

2STR2240

Teilbestand: 184452

2STP535FP

Teilbestand: 44724

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 180V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

2SD882

Teilbestand: 92708

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

2SC6011

Teilbestand: 15272

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V,

2N329A

Teilbestand: 203