Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

2N5321

Teilbestand: 78

2N5415S

Teilbestand: 170

2N3636UB

Teilbestand: 4824

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 175V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

2N5154

Teilbestand: 91

2N2221AUA

Teilbestand: 4304

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N3740

Teilbestand: 154

2N1717S

Teilbestand: 121

2N6249T1

Teilbestand: 91

2N6300

Teilbestand: 151

2N6286

Teilbestand: 122

2N6277

Teilbestand: 147

2N2102S

Teilbestand: 122

2N4449

Teilbestand: 4940

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

2N2814

Teilbestand: 152

2N5428

Teilbestand: 114

2N3635L

Teilbestand: 5555

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 140V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

2N697

Teilbestand: 137

2N5416UA

Teilbestand: 161

2N697S

Teilbestand: 168

2N5241

Teilbestand: 140

2N2895

Teilbestand: 77

2N5151L

Teilbestand: 124

2N5238S

Teilbestand: 115

2N3725UB

Teilbestand: 3202

2N5785

Teilbestand: 87

2N5664

Teilbestand: 93

2N3507U4

Teilbestand: 120

2N6352

Teilbestand: 110

2N5683

Teilbestand: 78

2N5582

Teilbestand: 5051

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N6648

Teilbestand: 130

2N6353

Teilbestand: 172

2N3743

Teilbestand: 101

2DB1132Q-13

Teilbestand: 119

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

2SA1162-Y,LF

Teilbestand: 182069

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

2SA1298-Y,LF

Teilbestand: 110660

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,