Transistoren - Bipolar (BJT) - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

2SD2257,KEHINQ(J

Teilbestand: 6789

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

Teilbestand: 6792

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

Teilbestand: 6778

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

Teilbestand: 6989

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

Teilbestand: 7064

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

Teilbestand: 7008

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

Teilbestand: 7045

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

Teilbestand: 7037

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

Teilbestand: 7039

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

Teilbestand: 7003

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

Teilbestand: 7001

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 375V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

Teilbestand: 6717

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

Teilbestand: 7021

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

Teilbestand: 7019

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 375V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

Teilbestand: 6714

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

Teilbestand: 7015

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 800V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

Teilbestand: 6994

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

Teilbestand: 6971

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

Teilbestand: 6716

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

Teilbestand: 7019

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

Teilbestand: 6724

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

Teilbestand: 6968

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

Teilbestand: 7006

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

Teilbestand: 7026

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

Teilbestand: 6967

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 180V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

Teilbestand: 6979

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 180V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

Teilbestand: 6992

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 180V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

Teilbestand: 7059

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 180V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wunschzettel.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

Teilbestand: 6988

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 180V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wunschzettel.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

Teilbestand: 7005

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881,LS1SUMIF(M

Teilbestand: 6962

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(M

Teilbestand: 7032

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 230V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881(CANO,F,M)

Teilbestand: 7001

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,NSEIKIF(J

Teilbestand: 7000

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 230V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,TOA1F(J

Teilbestand: 7001

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 230V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,HFEF(M

Teilbestand: 6995

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 230V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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