Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

2N2904AL

Teilbestand: 4988

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N5002

Teilbestand: 147

2N3498L

Teilbestand: 142

2N3419

Teilbestand: 151

2N5581

Teilbestand: 8040

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N6436

Teilbestand: 143

2N5430

Teilbestand: 81

2N2907AL

Teilbestand: 14535

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N2369AU

Teilbestand: 1550

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 400nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V,

2N6340

Teilbestand: 133

2N4914

Teilbestand: 130

2N3019S

Teilbestand: 4367

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V,

2N6438

Teilbestand: 98

2N5154L

Teilbestand: 164

2N6051

Teilbestand: 84

2N6317

Teilbestand: 2512

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 7A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 1.75A, 7A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2.5A, 4V,

2N1481

Teilbestand: 122

2N6249

Teilbestand: 124

2N3867S

Teilbestand: 105

2N6297

Teilbestand: 173

2N5671

Teilbestand: 176

2N4261

Teilbestand: 3607

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V,

2N3637L

Teilbestand: 5563

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 175V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

2N3724

Teilbestand: 83

2N6280

Teilbestand: 81

2N4931

Teilbestand: 151

2N3507

Teilbestand: 160

2N657

Teilbestand: 125

2N2484UB

Teilbestand: 5222

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V,

2N498

Teilbestand: 160

2N2812

Teilbestand: 107

2N3420

Teilbestand: 86

2N3762L

Teilbestand: 150

2SC6026CTGRTPL3

Teilbestand: 154

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

2SC4944-GR(TE85L,F

Teilbestand: 155

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

2SD1785

Teilbestand: 111367

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 6A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,