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RFQs / Order.
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Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

2N6546
Microsemi Corporation

2N6546

Teilbestand: 130

Wunschzettel.
2N5336
Microsemi Corporation

2N5336

Teilbestand: 88

Wunschzettel.
2N6350
Microsemi Corporation

2N6350

Teilbestand: 129

Wunschzettel.
2N6284
Microsemi Corporation

2N6284

Teilbestand: 141

Wunschzettel.
2N5092
Microsemi Corporation

2N5092

Teilbestand: 142

Wunschzettel.
2N6674
Microsemi Corporation

2N6674

Teilbestand: 114

Wunschzettel.
2N5877
Microsemi Corporation

2N5877

Teilbestand: 121

Wunschzettel.
2N5005
Microsemi Corporation

2N5005

Teilbestand: 115

Wunschzettel.
2N5339
Microsemi Corporation

2N5339

Teilbestand: 171

Wunschzettel.
2N4033UA
Microsemi Corporation

2N4033UA

Teilbestand: 3698

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Wunschzettel.
2N3868S
Microsemi Corporation

2N3868S

Teilbestand: 152

Wunschzettel.
2N3468L
Microsemi Corporation

2N3468L

Teilbestand: 147

Wunschzettel.
2N3507L
Microsemi Corporation

2N3507L

Teilbestand: 105

Wunschzettel.
2N5868
Microsemi Corporation

2N5868

Teilbestand: 169

Wunschzettel.
2N1717
Microsemi Corporation

2N1717

Teilbestand: 159

Wunschzettel.
2N4233
Microsemi Corporation

2N4233

Teilbestand: 117

Wunschzettel.
2N6191
Microsemi Corporation

2N6191

Teilbestand: 172

Wunschzettel.
2N5879
Microsemi Corporation

2N5879

Teilbestand: 136

Wunschzettel.
2N5784
Microsemi Corporation

2N5784

Teilbestand: 166

Wunschzettel.
2N1016D
Microsemi Corporation

2N1016D

Teilbestand: 105

Wunschzettel.
2N2906AUB
Microsemi Corporation

2N2906AUB

Teilbestand: 8190

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Wunschzettel.
2N5660
Microsemi Corporation

2N5660

Teilbestand: 123

Wunschzettel.
2N5039
Microsemi Corporation

2N5039

Teilbestand: 143

Wunschzettel.
2N5662
Microsemi Corporation

2N5662

Teilbestand: 131

Wunschzettel.
2N6315
Microsemi Corporation

2N6315

Teilbestand: 96

Wunschzettel.
2N6279
Microsemi Corporation

2N6279

Teilbestand: 175

Wunschzettel.
2N4903
Microsemi Corporation

2N4903

Teilbestand: 174

Wunschzettel.
2N3440L
Microsemi Corporation

2N3440L

Teilbestand: 4241

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

Wunschzettel.
2N5152L
Microsemi Corporation

2N5152L

Teilbestand: 105

Wunschzettel.
2N5347
Microsemi Corporation

2N5347

Teilbestand: 109

Wunschzettel.
2N5302
Microsemi Corporation

2N5302

Teilbestand: 104

Wunschzettel.
2N930A
Microsemi Corporation

2N930A

Teilbestand: 8885

Wunschzettel.
2N5151
Microsemi Corporation

2N5151

Teilbestand: 107

Wunschzettel.
2N5872
Microsemi Corporation

2N5872

Teilbestand: 132

Wunschzettel.
2SC4518A
Sanken

2SC4518A

Teilbestand: 78301

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 550V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 360mA, 1.8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1.8A, 4V,

Wunschzettel.
2SC2713-BL,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-BL,LF

Teilbestand: 141073

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Wunschzettel.