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RFQs / Order.
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Dioden - Brückengleichrichter

KBPC1002-G
Comchip Technology

KBPC1002-G

Teilbestand: 41765

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
KBU3506-G
Comchip Technology

KBU3506-G

Teilbestand: 69217

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBPC5002-G
Comchip Technology

GBPC5002-G

Teilbestand: 26132

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
CDBHM230L-HF
Comchip Technology

CDBHM230L-HF

Teilbestand: 140382

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1mA @ 30V,

Wunschzettel.
GBJ2504-04-G
Comchip Technology

GBJ2504-04-G

Teilbestand: 105

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
DF208ST-G
Comchip Technology

DF208ST-G

Teilbestand: 141992

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC2504W-G
Comchip Technology

GBPC2504W-G

Teilbestand: 35761

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBJ2506-G
Comchip Technology

GBJ2506-G

Teilbestand: 52578

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBPC3501W-G
Comchip Technology

GBPC3501W-G

Teilbestand: 32561

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBPC2506-G
Comchip Technology

GBPC2506-G

Teilbestand: 32581

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
KBL401-G
Comchip Technology

KBL401-G

Teilbestand: 168148

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
GBLA04 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBLA04 D2G

Teilbestand: 77

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
TS25P01G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P01G C2G

Teilbestand: 158

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
DBL205GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL205GHC1G

Teilbestand: 151

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 600V,

Wunschzettel.
HDBL106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

HDBL106G C1G

Teilbestand: 131

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBU15L06HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU15L06HD2G

Teilbestand: 127

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 960mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
DBLS202GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS202GHC1G

Teilbestand: 80

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 100V,

Wunschzettel.
DBLS201GHRDG
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS201GHRDG

Teilbestand: 148

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 50V,

Wunschzettel.
TSS4B04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B04GHD2G

Teilbestand: 72

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
SBS36 REG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS36 REG

Teilbestand: 164

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 60V,

Wunschzettel.
SBS34HREG
Taiwan Semiconductor Corporation

SBS34HREG

Teilbestand: 120

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500µA @ 40V,

Wunschzettel.
TS50P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS50P05G D2G

Teilbestand: 115

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
TS6K60HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS6K60HD3G

Teilbestand: 160

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
DBLS106GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS106GHC1G

Teilbestand: 104

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 800V,

Wunschzettel.
TS25P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P06G C2G

Teilbestand: 123

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC1510W T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC1510W T0G

Teilbestand: 86

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
GBL08HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL08HD2G

Teilbestand: 120

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
TS8P02GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P02GHC2G

Teilbestand: 79

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

Wunschzettel.
TS8P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P05G C2G

Teilbestand: 126

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
TS8P05GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P05GHD2G

Teilbestand: 73

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GHXS015A120S-D1E
Global Power Technologies Group

GHXS015A120S-D1E

Teilbestand: 1190

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Silicon Carbide Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 1200V,

Wunschzettel.
VUO50-12NO3
IXYS

VUO50-12NO3

Teilbestand: 2797

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 58A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 150A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 300µA @ 1200V,

Wunschzettel.
DF02S-T
Diodes Incorporated

DF02S-T

Teilbestand: 141

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
CBR1-L040M
Central Semiconductor Corp

CBR1-L040M

Teilbestand: 139531

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBLA06-E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBLA06-E3/51

Teilbestand: 145901

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
CPC7556N
IXYS Integrated Circuits Division

CPC7556N

Teilbestand: 176159

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.49V @ 250mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 100V,

Wunschzettel.