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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Dioden - Brückengleichrichter

GSIB2080N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB2080N-M3/45

Teilbestand: 54433

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GSIB15A60N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB15A60N-M3/45

Teilbestand: 60141

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GSIB1560N-M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB1560N-M3/45

Teilbestand: 54481

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
GSIB6A60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSIB6A60-E3/45

Teilbestand: 80174

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
DBLS152G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBLS152G C1G

Teilbestand: 155

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 100V,

Wunschzettel.
TS10KL60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10KL60 D3G

Teilbestand: 80

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
D2SB20HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB20HD2G

Teilbestand: 85

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
GBPC25005M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC25005M T0G

Teilbestand: 130

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 50V,

Wunschzettel.
TS15PL05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15PL05G C2G

Teilbestand: 91

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
DBL153GHC1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL153GHC1G

Teilbestand: 152

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 200V,

Wunschzettel.
TS8P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P06G C2G

Teilbestand: 96

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBU1004 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU1004 D2G

Teilbestand: 159

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 10A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
TS8P04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P04GHD2G

Teilbestand: 164

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
TSS4B04GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS4B04GHC2G

Teilbestand: 92

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBPC5006M T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC5006M T0G

Teilbestand: 87

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel.
DBL209G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL209G C1G

Teilbestand: 132

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.4kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1400V,

Wunschzettel.
TS8P07G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS8P07G C2G

Teilbestand: 84

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

Wunschzettel.
TS10KL60HD3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10KL60HD3G

Teilbestand: 176

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
TS25P04G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P04G C2G

Teilbestand: 65

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
D2SB80HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

D2SB80HD2G

Teilbestand: 80

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC3502 T0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBPC3502 T0G

Teilbestand: 143

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 17.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 200V,

Wunschzettel.
TS25P04G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P04G D2G

Teilbestand: 100

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBU605HD2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU605HD2G

Teilbestand: 141

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel.
GBL08 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBL08 D2G

Teilbestand: 150

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel.
KMB22STR
SMC Diode Solutions

KMB22STR

Teilbestand: 100

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Schottky, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100µA @ 20V,

Wunschzettel.
M2535SB1200
Sensata-Crydom

M2535SB1200

Teilbestand: 1405

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1.2kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 35A,

Wunschzettel.
M50100TB1000
Sensata-Crydom

M50100TB1000

Teilbestand: 794

Diodentyp: Three Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100A,

Wunschzettel.
RABF210-13
Diodes Incorporated

RABF210-13

Teilbestand: 109

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
MSB15MH-13
Diodes Incorporated

MSB15MH-13

Teilbestand: 174091

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
MB10F-13
Diodes Incorporated

MB10F-13

Teilbestand: 163606

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 800mA, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

Wunschzettel.
KBU2508-G
Comchip Technology

KBU2508-G

Teilbestand: 62541

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
GBPC1504W-G
Comchip Technology

GBPC1504W-G

Teilbestand: 36199

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 7.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel.
GBU408-G
Comchip Technology

GBU408-G

Teilbestand: 79069

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel.
DB101-G
Comchip Technology

DB101-G

Teilbestand: 193152

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.
GBJ2502-04-G
Comchip Technology

GBJ2502-04-G

Teilbestand: 120

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

Wunschzettel.
GBU2502-G
Comchip Technology

GBU2502-G

Teilbestand: 50187

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 12.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel.