Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 6

LND150N8-G

Teilbestand: 155053

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Wunschzettel

Microchip Technology

LND150K1-G

Teilbestand: 187815

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TN2540N8-G

Teilbestand: 74252

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TP2540N8-G

Teilbestand: 63450

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 125mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

DN2470K4-G

Teilbestand: 115852

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 Ohm @ 100mA, 0V,

Wunschzettel