Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

TP2540N3-G-P002

Microchip Technology

TP2540N3-G-P002

Teilbestand: 65888

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 86mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

VN10KN3-G-P003

Teilbestand: 174415

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 310mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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LND150N3-G-P002

Microchip Technology

LND150N3-G-P002

Teilbestand: 183557

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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TN0604N3-G-P005

Microchip Technology

TN0604N3-G-P005

Teilbestand: 87196

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 700mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Microchip Technology

MCP87055T-U/LC

Teilbestand: 166136

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

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TN0620N3-G-P014

Microchip Technology

TN0620N3-G-P014

Teilbestand: 71164

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2410L-G-P014

Teilbestand: 96918

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2124K1-G

Teilbestand: 145383

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 134mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 Ohm @ 120mA, 4.5V,

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Microchip Technology

VP2450N8-G

Teilbestand: 58167

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

TP2522N8-G

Teilbestand: 71202

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 220V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

TN5335K1-G

Teilbestand: 124592

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

TP5322N8-G

Teilbestand: 145311

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 220V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

DN3535N8-G

Teilbestand: 136838

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 150mA, 0V,

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TP0606N3-G-P002

Microchip Technology

TP0606N3-G-P002

Teilbestand: 102565

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

TN5325N8-G

Teilbestand: 158539

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 316mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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TN5325N3-G-P002

Microchip Technology

TN5325N3-G-P002

Teilbestand: 145391

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 215mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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TP0606N3-G-P003

Microchip Technology

TP0606N3-G-P003

Teilbestand: 102649

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

TP2510N8-G

Teilbestand: 81155

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 480mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

TN0106N3-G

Teilbestand: 93893

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TP0604N3-G

Teilbestand: 57712

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 430mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

VN3205N3-G

Teilbestand: 56360

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.2A (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 10V,

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Microchip Technology

VN4012L-G

Teilbestand: 47260

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

VP2206N2

Teilbestand: 5360

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 750mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

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Microchip Technology

TP2540N3-G

Teilbestand: 52692

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 86mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

DN3545N3-G

Teilbestand: 104685

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 450V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 136mA, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

TP2640N3-G

Teilbestand: 45489

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

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Microchip Technology

TN0610N3-G

Teilbestand: 73267

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

TP0620N3-G

Teilbestand: 52772

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 175mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2450N3-G

Teilbestand: 64862

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

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Microchip Technology

TP2635N3-G

Teilbestand: 47311

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 Ohm @ 300mA, 10V,

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Microchip Technology

VN0606L-G

Teilbestand: 62684

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 330mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

VN2460N3-G

Teilbestand: 62683

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

VN0808L-G

Teilbestand: 62599

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TN0606N3-G

Teilbestand: 93941

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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Microchip Technology

VP2450N3-G

Teilbestand: 46076

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

DN2540N5-G

Teilbestand: 53451

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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