Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Microchip Technology

TN0104N8-G

Teilbestand: 87217

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TN0604N3-G

Teilbestand: 71131

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 700mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Microchip Technology

DN2530N8-G

Teilbestand: 138406

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

TN2504N8-G

Teilbestand: 89487

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 890mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

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LND150N3-G-P003

Microchip Technology

LND150N3-G-P003

Teilbestand: 183599

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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Microchip Technology

DN2540N3-G

Teilbestand: 97638

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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Microchip Technology

TN5335N8-G

Teilbestand: 108979

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2106N3-G

Teilbestand: 187819

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN3205N8-G

Teilbestand: 68394

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V,

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Microchip Technology

TN5325K1-G

Teilbestand: 183601

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TP5322K1-G

Teilbestand: 166067

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 220V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2110K1-G

Teilbestand: 193820

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN0702N3-G

Teilbestand: 65974

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 530mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2V, 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.3 Ohm @ 500mA, 5V,

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Microchip Technology

LND01K1-G

Teilbestand: 142227

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 9V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 330mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 100mA, 0V,

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Microchip Technology

TN2640K4-G

Teilbestand: 43675

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VP2106N3-G

Teilbestand: 146510

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2222LL-G

Teilbestand: 174426

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MIC94030BM4 TR

Teilbestand: 9877

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 16V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

MIC94052BC6-TR

Teilbestand: 9895

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

MIC94053BC6-TR

Teilbestand: 9815

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

MIC94050BM4 TR

Teilbestand: 9820

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

MIC94051BM4 TR

Teilbestand: 9843

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

TP5335K1-G

Teilbestand: 109016

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 85mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 Ohm @ 200mA, 10V,

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Microchip Technology

VP2110K1-G

Teilbestand: 158520

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

LND250K1-G

Teilbestand: 182364

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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Microchip Technology

TN2524N8-G

Teilbestand: 81176

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 360mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MIC94052YC6-TR

Teilbestand: 171800

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 84 mOhm @ 100mA, 4.5V,

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Microchip Technology

MIC94031BM4 TR

Teilbestand: 9583

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 16V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2106K1-G

Teilbestand: 193802

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

MIC94031YM4-TR

Teilbestand: 9555

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 16V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

DN3135N8-G

Teilbestand: 151019

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 135mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

DN2540N8-G

Teilbestand: 115855

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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Microchip Technology

DN3545N8-G

Teilbestand: 124604

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 450V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

DN2625K4-G

Teilbestand: 75520

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.1A (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 1A, 0V,

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Microchip Technology

VN2450N8-G

Teilbestand: 83065

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 Ohm @ 400mA, 10V,

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Microchip Technology

DN3135K1-G

Teilbestand: 178009

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 Ohm @ 150mA, 0V,

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