Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Microchip Technology

VP0104N3-G

Teilbestand: 97651

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2210N2

Teilbestand: 5656

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 4A, 10V,

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Microchip Technology

DN2535N5-G

Teilbestand: 55532

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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Microchip Technology

VP3203N3-G

Teilbestand: 50933

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 650mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 3A, 10V,

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Microchip Technology

VN2410L-G

Teilbestand: 80527

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN1206L-G

Teilbestand: 46073

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VP0808L-G

Teilbestand: 48896

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

VN10KN3-G

Teilbestand: 155843

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 310mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2640N3-G

Teilbestand: 48844

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VP0109N3-G

Teilbestand: 85226

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 90V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN0620N3-G

Teilbestand: 57680

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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LP0701N3-G

Teilbestand: 50856

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 16.5V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2V, 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 300mA, 5V,

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Microchip Technology

TP2535N3-G

Teilbestand: 55067

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 86mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

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Microchip Technology

DN2535N3-G

Teilbestand: 103180

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

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VP0106N3-G

Teilbestand: 93914

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

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VP0550N3-G

Teilbestand: 42651

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 54mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2224N3-G

Teilbestand: 5195

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.25 Ohm @ 2A, 10V,

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Microchip Technology

VN2406L-G

Teilbestand: 50949

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN0110N3-G

Teilbestand: 80557

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TN2540N3-G

Teilbestand: 60070

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 175mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

TP0606N3-G

Teilbestand: 85187

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 750mA, 10V,

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TN2106N3-G

Teilbestand: 138203

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

VN0300L-G

Teilbestand: 66028

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 640mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

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VN0106N3-G

Teilbestand: 114421

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

VP2206N3-G

Teilbestand: 36646

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 640mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

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TN0104N3-G

Teilbestand: 80546

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 450mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

VN0550N3-G

Teilbestand: 50942

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 Ohm @ 50mA, 10V,

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Microchip Technology

VN2210N3-G

Teilbestand: 37833

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.2A (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 4A, 10V,

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Microchip Technology

TP2104N3-G

Teilbestand: 120130

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 175mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

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Microchip Technology

DN2530N3-G

Teilbestand: 118177

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 175mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 150mA, 0V,

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Microchip Technology

VN0109N3-G

Teilbestand: 111017

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 90V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

TN5325N3-G

Teilbestand: 126306

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 215mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

LND150N3-G

Teilbestand: 155894

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

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Microchip Technology

DN2450K4-G

Teilbestand: 146586

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 300mA, 0V,

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Microchip Technology

VN0104N3-G

Teilbestand: 120143

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

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Microchip Technology

MIC94031CYW

Teilbestand: 2194

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 16V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 450 mOhm @ 100mA, 10V,

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