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MT47H64M16B7-5E:A TR

MT47H64M16B7-5E:A TR

Teilbestand: 9360

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR

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Teilbestand: 5076

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT47H64M8B6-5E:D TR

MT47H64M8B6-5E:D TR

Teilbestand: 594

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR

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Teilbestand: 238

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Tb (512G x 8), Taktfrequenz: 333MHz,

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MT47H64M16B7-37E:A TR

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Teilbestand: 9387

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 267MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT29F6T08ETHBBM5-3R:B

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Teilbestand: 106

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 6Tb (768G x 8), Taktfrequenz: 333MHz,

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MT48LC4M16A2F4-7E:G TR

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Teilbestand: 832

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

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MT47H128M8B7-37E L:A

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Teilbestand: 9293

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 267MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT47H128M8B7-5E:A TR

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Teilbestand: 9211

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT47H128M4B6-25E:D TR

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Teilbestand: 648

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (128M x 4), Taktfrequenz: 400MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT47H64M8B6-3 IT:D TR

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Teilbestand: 670

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 333MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT47H128M4B6-25:D TR

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Teilbestand: 691

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (128M x 4), Taktfrequenz: 400MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT47H64M8B6-37E:D TR

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Teilbestand: 620

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 267MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT47H64M8B6-25E:D TR

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Teilbestand: 614

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 400MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT47H256M4B7-37E:A TR

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Teilbestand: 9156

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (256M x 4), Taktfrequenz: 267MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR

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Teilbestand: 543

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT48LC8M16A2F4-75 IT:G TR

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Teilbestand: 873

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT43A4G40200NFA-S15:A
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MT29E6T08ETHBBM5-3:B TR

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Teilbestand: 173

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 6Tb (768G x 8), Taktfrequenz: 333MHz,

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MT47H32M16BN-25E IT:D TR

MT47H32M16BN-25E IT:D TR

Teilbestand: 5153

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 400MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT47H64M16BT-3:A TR

MT47H64M16BT-3:A TR

Teilbestand: 5088

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 333MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR

MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR

Teilbestand: 126

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 6Tb (768G x 8), Taktfrequenz: 333MHz,

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MT29E4T08CTHBBM5-3:B

MT29E4T08CTHBBM5-3:B

Teilbestand: 115

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Tb (512G x 8), Taktfrequenz: 333MHz,

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MT47H128M8B7-5E L:A

MT47H128M8B7-5E L:A

Teilbestand: 9239

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT28F400B3WG-8 T

MT28F400B3WG-8 T

Teilbestand: 2960

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT48LC32M8A2P-75 L:D TR

MT48LC32M8A2P-75 L:D TR

Teilbestand: 403

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR

MT48LC8M16LFB4-8 IT:G TR

Teilbestand: 1822

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT47H32M16CC-37E:B

MT47H32M16CC-37E:B

Teilbestand: 8453

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 267MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT28F400B3SG-8 B TR

MT28F400B3SG-8 B TR

Teilbestand: 2776

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT48H8M32LFB5-10 IT TR

MT48H8M32LFB5-10 IT TR

Teilbestand: 9249

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT28F400B5WG-8 T

MT28F400B5WG-8 T

Teilbestand: 3159

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT28F800B5SG-8 B TR

MT28F800B5SG-8 B TR

Teilbestand: 4110

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT48LC8M16A2TG-75 L IT:G

MT48LC8M16A2TG-75 L IT:G

Teilbestand: 1652

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR

MT48LC4M16A2TG-7E IT:G TR

Teilbestand: 833

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

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MT48V8M32LFF5-8 IT TR

MT48V8M32LFF5-8 IT TR

Teilbestand: 3749

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 125MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT48LC32M8A2TG-6A:D

MT48LC32M8A2TG-6A:D

Teilbestand: 465

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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