Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 7

APTM10TAM19FPG

Teilbestand: 905

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTC60TAM35PG

Teilbestand: 622

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5.4mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM20AM10STG

Teilbestand: 814

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 175A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTC60HM70SCTG

Teilbestand: 825

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM20HM20STG

Teilbestand: 874

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 89A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTC60AM35T1G

Teilbestand: 1737

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5.4mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM120A20SG

Teilbestand: 517

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTMC60TLM14CAG

Teilbestand: 121

FET-Typ: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 219A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 30mA (Typ),

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM20DUM04G

Teilbestand: 485

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 372A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTMC120AM12CT3AG

Teilbestand: 202

FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 30mA (Typ),

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTC60TAM21SCTPAG

Teilbestand: 341

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 116A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 88A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.6V @ 6mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM100A23STG

Teilbestand: 772

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTC60AM24T1G

Teilbestand: 1322

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTMC120TAM17CTPAG

Teilbestand: 81

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 147A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 20mA (Typ),

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM60H23FT1G

Teilbestand: 2039

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 1mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM50AM38FTG

Teilbestand: 808

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM120A29FTG

Teilbestand: 635

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM50DHM38G

Teilbestand: 726

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM20DUM08TG

Teilbestand: 866

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 208A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

Teilbestand: 400

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 495A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 10mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

Teilbestand: 1457

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 139A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

Teilbestand: 1133

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

Teilbestand: 485

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

Teilbestand: 1289

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

Teilbestand: 748

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 104A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

Teilbestand: 856

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 175A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

Teilbestand: 162

FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 295A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 40mA (Typ),

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

Teilbestand: 2258

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

Teilbestand: 1478

FET-Typ: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

Teilbestand: 558

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 139A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

Teilbestand: 1267

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

Teilbestand: 1093

FET-Typ: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

Teilbestand: 1492

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

Teilbestand: 809

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

Teilbestand: 757

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

Wunschzettel

Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

Teilbestand: 379

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 78A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

Wunschzettel