Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 7

APTM100DU18TG

Teilbestand: 2809

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 43A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100DDA35T3G

Teilbestand: 2731

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A46FT1G

Teilbestand: 2813

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A40FT1G

Teilbestand: 2805

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 480 mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A12STG

Teilbestand: 2822

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 68A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 34A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

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Microsemi Corporation

APTM100A23SCTG

Teilbestand: 2760

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

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Microsemi Corporation

APTM08TDUM04PG

Teilbestand: 2746

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H29T1G

Teilbestand: 2742

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC80DSK29T3G

Teilbestand: 2793

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC80H29SCTG

Teilbestand: 1092

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC80DDA29T3G

Teilbestand: 2788

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 1mA,

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Microsemi Corporation

APTC80A15T1G

Teilbestand: 2799

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2mA,

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Microsemi Corporation

APTC80AM75SCG

Teilbestand: 594

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 28A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 4mA,

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Microsemi Corporation

APTC80A10SCTG

Teilbestand: 863

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 42A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 21A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

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Microsemi Corporation

APTC60DSKM70T3G

Teilbestand: 2751

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

APTC60DSKM35T3G

Teilbestand: 2727

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5.4mA,

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Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T3G

Teilbestand: 2741

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

APTC60AM70T1G

Teilbestand: 2769

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N7334

Teilbestand: 2993

FET-Typ: 4 N-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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Microsemi Corporation

JANTX2N7335

Teilbestand: 2875

FET-Typ: 4 P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 750mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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Microsemi Corporation

JAN2N7335

Teilbestand: 2942

FET-Typ: 4 P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 750mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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Microsemi Corporation

JAN2N7334

Teilbestand: 2865

FET-Typ: 4 N-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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Microsemi Corporation

JANTXV2N7335

Teilbestand: 2903

FET-Typ: 4 P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 750mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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Microsemi Corporation

JANTX2N7334

Teilbestand: 2911

FET-Typ: 4 N-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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