Teilbestand: 2760
FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,