Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

APTM20DHM20TG

Teilbestand: 2966

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 89A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTM120TA57FPG

Teilbestand: 3311

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTC80DSK15T3G

Teilbestand: 2936

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2mA,

APTMC60TLM55CT3AG

Teilbestand: 222

FET-Typ: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 2mA (Typ),

APTMC120AM16CD3AG

Teilbestand: 166

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 131A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 5mA (Typ),

APTMC60TL11CT3AG

Teilbestand: 420

FET-Typ: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 1mA,

APTC90AM60SCTG

Teilbestand: 647

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12SCTG

Teilbestand: 686

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 3mA,

APTC60DSKM70CT1G

Teilbestand: 2914

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60DDAM70CT1G

Teilbestand: 3376

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

APTML502UM90R020T3AG

Teilbestand: 2888

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 52A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 108 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

APTC60DDAM45CT1G

Teilbestand: 2940

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

APTML102UM09R004T3AG

Teilbestand: 2898

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 154A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

APTML202UM18R010T3AG

Teilbestand: 2939

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 109A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 50A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

APTML1002U60R020T3AG

Teilbestand: 3301

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 720 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

APTM50DHM65T3G

Teilbestand: 3350

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 51A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 42A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTM120VDA57T3G

Teilbestand: 2866

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTM10DHM09T3G

Teilbestand: 2896

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 139A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 2.5mA,

APTM100TA35SCTPG

Teilbestand: 293

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTC90AM60T1G

Teilbestand: 1142

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 6mA,

APTC90AM602G

Teilbestand: 2917

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 6mA,

APTC60DSKM70T1G

Teilbestand: 2886

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60AM83BC1G

Teilbestand: 2885

FET-Typ: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 3mA,

APTC60DSKM45T1G

Teilbestand: 2935

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

APTC60AM42F2G

Teilbestand: 2862

FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 66A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 33A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

APTC60AM83B1G

Teilbestand: 2932

FET-Typ: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 83 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 3mA,

APTC90H12T1G

Teilbestand: 1136

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 3mA,

APTC90TAM60TPG

Teilbestand: 424

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 6mA,

APTC90HM60T3G

Teilbestand: 666

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 6mA,

APTC90H12T2G

Teilbestand: 2898

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 3mA,

APTC90DSK12T1G

Teilbestand: 5403

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 3mA,

APTC90DDA12T1G

Teilbestand: 2849

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 26A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 3mA,

APTJC120AM13VCT1AG

Teilbestand: 2840

APTM60A23FT1G

Teilbestand: 2807

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 1mA,

APTM50TDUM65PG

Teilbestand: 3356

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 51A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTM50DUM38TG

Teilbestand: 2789

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,