Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

APTC60TDUM35PG

Teilbestand: 688

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5.4mA,

APTM10AM05FTG

Teilbestand: 820

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 278A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 5mA,

APTC60HM70RT3G

Teilbestand: 1479

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2.7mA,

APTC60HM45T1G

Teilbestand: 1300

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

APTC80TA15PG

Teilbestand: 1022

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2mA,

APTC80H29T3G

Teilbestand: 2362

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 1mA,

APTM50HM75SCTG

Teilbestand: 667

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTMC120AM20CT1AG

Teilbestand: 173

FET-Typ: 2 N Channel (Phase Leg), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 143A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 2mA (Typ),

APTM120A20DG

Teilbestand: 538

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

APTC60AM45T1G

Teilbestand: 293

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

APTMC120TAM34CT3AG

Teilbestand: 251

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 74A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 15mA,

APTM50DDAM65T3G

Teilbestand: 1269

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 51A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTC60DDAM24T3G

Teilbestand: 1114

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 5mA,

APTM10DSKM19T3G

Teilbestand: 1965

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

APTM20AM06SG

Teilbestand: 553

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

APTC60DDAM45T1G

Teilbestand: 1722

FET-Typ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

APTM100H18FG

Teilbestand: 404

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 43A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

APTM100H35FT3G

Teilbestand: 784

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTM20TAM16FPG

Teilbestand: 537

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 104A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTM20AM08FTG

Teilbestand: 774

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 208A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

APTC80A15SCTG

Teilbestand: 987

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 2mA,

APTM10DHM05G

Teilbestand: 750

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 278A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 5mA,

APTM50HM75STG

Teilbestand: 723

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTM20AM04FG

Teilbestand: 346

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 372A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

APTC60AM18SCG

Teilbestand: 415

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 143A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 71.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 4mA,

APTM100A13SG

Teilbestand: 445

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 65A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

APTM50AM24SG

Teilbestand: 446

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 6mA,

APTMC120AM55CT1AG

Teilbestand: 412

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 2mA (Typ),

APTM120H57FTG

Teilbestand: 3119

FET-Typ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTM50DHM35G

Teilbestand: 3087

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 99A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 49.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 5mA,

APTMC120HRM40CT3AG

Teilbestand: 3001

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 73A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 12.5mA,

APTC60DSKM45CT1G

Teilbestand: 2944

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Super Junction, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.9V @ 3mA,

APTM20DHM16T3G

Teilbestand: 2948

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 104A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTM100VDA35T3G

Teilbestand: 3387

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V (1kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 2.5mA,

APTJC120AM25VCT1AG

Teilbestand: 3378

APTMC120HR11CT3AG

Teilbestand: 2997

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 5mA,