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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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NTMFS4701NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4701NT3G

Teilbestand: 299

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
NTD3813N-35G
ON Semiconductor

NTD3813N-35G

Teilbestand: 588

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 16V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.6A (Ta), 51A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
NTD4855N-35G
ON Semiconductor

NTD4855N-35G

Teilbestand: 499

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel
NTD95N02R-001
ON Semiconductor

NTD95N02R-001

Teilbestand: 6095

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
FQA6N90_F109
ON Semiconductor

FQA6N90_F109

Teilbestand: 385

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.9 Ohm @ 3A, 10V,

Wunschzettel
NTD60N02R-35G
ON Semiconductor

NTD60N02R-35G

Teilbestand: 5688

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
NTD60N02R-1G
ON Semiconductor

NTD60N02R-1G

Teilbestand: 353

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
NTGS3447PT1G
ON Semiconductor

NTGS3447PT1G

Teilbestand: 444

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Wunschzettel
NTD4806NA-1G
ON Semiconductor

NTD4806NA-1G

Teilbestand: 469

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel
NTD50N03RT4
ON Semiconductor

NTD50N03RT4

Teilbestand: 298

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

Wunschzettel
NTD3055L170
ON Semiconductor

NTD3055L170

Teilbestand: 270

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

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NTD65N03R
ON Semiconductor

NTD65N03R

Teilbestand: 355

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

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NTLJF3118NTAG
ON Semiconductor

NTLJF3118NTAG

Teilbestand: 497

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

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NTD4857N-1G
ON Semiconductor

NTD4857N-1G

Teilbestand: 6090

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 78A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD65N03R-035
ON Semiconductor

NTD65N03R-035

Teilbestand: 300

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

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NTLJS4159NT1G
ON Semiconductor

NTLJS4159NT1G

Teilbestand: 331

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 2A, 4.5V,

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FDD8444L
ON Semiconductor

FDD8444L

Teilbestand: 423

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

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NTMS4872NR2G
ON Semiconductor

NTMS4872NR2G

Teilbestand: 525

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 10.2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 mOhm @ 10.2A, 10V,

Wunschzettel
NTMFS4122NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4122NT3G

Teilbestand: 387

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 14A, 10V,

Wunschzettel
FDB8832
ON Semiconductor

FDB8832

Teilbestand: 39081

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Ta), 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.9 mOhm @ 80A, 10V,

Wunschzettel
FDM6296
ON Semiconductor

FDM6296

Teilbestand: 371

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.5 mOhm @ 11.5A, 10V,

Wunschzettel
FDC636P
ON Semiconductor

FDC636P

Teilbestand: 589

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Wunschzettel
NTD4863N-1G
ON Semiconductor

NTD4863N-1G

Teilbestand: 444

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.2A (Ta), 49A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel
FDI8441
ON Semiconductor

FDI8441

Teilbestand: 458

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

Wunschzettel
NTMFS4835NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4835NT3G

Teilbestand: 474

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), 130A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD78N03-035
ON Semiconductor

NTD78N03-035

Teilbestand: 313

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

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FDR858P
ON Semiconductor

FDR858P

Teilbestand: 332

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V,

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NTD85N02RG
ON Semiconductor

NTD85N02RG

Teilbestand: 385

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 85A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

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NTD4806NA-35G
ON Semiconductor

NTD4806NA-35G

Teilbestand: 501

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

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NTR4503NT1
ON Semiconductor

NTR4503NT1

Teilbestand: 330

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

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NTD4804N-35G
ON Semiconductor

NTD4804N-35G

Teilbestand: 470

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

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FQU13N10LTU
ON Semiconductor

FQU13N10LTU

Teilbestand: 106178

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V,

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NTD95N02R-1G
ON Semiconductor

NTD95N02R-1G

Teilbestand: 6084

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

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NVTFS5124PLTAG
ON Semiconductor

NVTFS5124PLTAG

Teilbestand: 118550

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 260 mOhm @ 3A, 10V,

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NTD3813NT4G
ON Semiconductor

NTD3813NT4G

Teilbestand: 549

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 16V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.6A (Ta), 51A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

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NTF2955PT1G
ON Semiconductor

NTF2955PT1G

Teilbestand: 500

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 185 mOhm @ 2.4A, 10V,

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