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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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NTD3055L170-1G
ON Semiconductor

NTD3055L170-1G

Teilbestand: 311

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

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NTMFS4841NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4841NT3G

Teilbestand: 528

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.3A (Ta), 57A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel
FDPF12N35
ON Semiconductor

FDPF12N35

Teilbestand: 328

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

Wunschzettel
NTMFS4707NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4707NT3G

Teilbestand: 356

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
NTMFS4836NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4836NT3G

Teilbestand: 546

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), 90A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel
NTD4855NT4G
ON Semiconductor

NTD4855NT4G

Teilbestand: 515

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel
NTD78N03G
ON Semiconductor

NTD78N03G

Teilbestand: 343

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

Wunschzettel
VN2222LLRLRA
ON Semiconductor

VN2222LLRLRA

Teilbestand: 385

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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NTJS3157NT2G
ON Semiconductor

NTJS3157NT2G

Teilbestand: 115428

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V,

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NTD32N06G
ON Semiconductor

NTD32N06G

Teilbestand: 359

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 16A, 10V,

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NTD5406NG
ON Semiconductor

NTD5406NG

Teilbestand: 344

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.2A (Ta), 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD4810N-1G
ON Semiconductor

NTD4810N-1G

Teilbestand: 305

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), 54A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

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NTHD5904NT3
ON Semiconductor

NTHD5904NT3

Teilbestand: 298

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

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FDD3N40TF
ON Semiconductor

FDD3N40TF

Teilbestand: 350

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 Ohm @ 1A, 10V,

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NTY100N10G
ON Semiconductor

NTY100N10G

Teilbestand: 383

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 123A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 50A, 10V,

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FDA15N65
ON Semiconductor

FDA15N65

Teilbestand: 348

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 440 mOhm @ 8A, 10V,

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NTMFS4121NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4121NT3G

Teilbestand: 360

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.25 mOhm @ 24A, 10V,

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NTD95N02R
ON Semiconductor

NTD95N02R

Teilbestand: 322

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

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NTD4855N-1G
ON Semiconductor

NTD4855N-1G

Teilbestand: 445

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), 98A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD95N02RT4
ON Semiconductor

NTD95N02RT4

Teilbestand: 354

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

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NTR2101PT1
ON Semiconductor

NTR2101PT1

Teilbestand: 316

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

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NTD30N02G
ON Semiconductor

NTD30N02G

Teilbestand: 344

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD60N02R-035
ON Semiconductor

NTD60N02R-035

Teilbestand: 372

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

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NTD78N03-1G
ON Semiconductor

NTD78N03-1G

Teilbestand: 319

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

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NTR4502PT3G
ON Semiconductor

NTR4502PT3G

Teilbestand: 345

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 1.95A, 10V,

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FDPF7N50
ON Semiconductor

FDPF7N50

Teilbestand: 402

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

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FDMS8674
ON Semiconductor

FDMS8674

Teilbestand: 499

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), 21A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 17A, 10V,

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NTJS4405NT4
ON Semiconductor

NTJS4405NT4

Teilbestand: 365

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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NTR0202PLT3G
ON Semiconductor

NTR0202PLT3G

Teilbestand: 318

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 400mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 200mA, 10V,

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NTR4502PT1
ON Semiconductor

NTR4502PT1

Teilbestand: 6039

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 1.95A, 10V,

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NTD5407NG
ON Semiconductor

NTD5407NG

Teilbestand: 470

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A (Ta), 38A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

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NTD4813N-35G
ON Semiconductor

NTD4813N-35G

Teilbestand: 494

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

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FDS5682
ON Semiconductor

FDS5682

Teilbestand: 548

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 7.5A, 10V,

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SMP3003-TL-1E
ON Semiconductor

SMP3003-TL-1E

Teilbestand: 34602

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 50A, 10V,

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NTMSD2P102R2
ON Semiconductor

NTMSD2P102R2

Teilbestand: 314

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

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NTD4808NT4G
ON Semiconductor

NTD4808NT4G

Teilbestand: 489

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

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