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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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NTD4856N-1G
ON Semiconductor

NTD4856N-1G

Teilbestand: 494

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V,

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NTMSD2P102R2SG
ON Semiconductor

NTMSD2P102R2SG

Teilbestand: 6075

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

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NTJS4405NT1
ON Semiconductor

NTJS4405NT1

Teilbestand: 310

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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NTD32N06L
ON Semiconductor

NTD32N06L

Teilbestand: 312

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 16A, 5V,

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FQB9N50CFTM_WS
ON Semiconductor

FQB9N50CFTM_WS

Teilbestand: 6118

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V,

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FDD8444-F085
ON Semiconductor

FDD8444-F085

Teilbestand: 593

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 145A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

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NTD50N03R-35G
ON Semiconductor

NTD50N03R-35G

Teilbestand: 338

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

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NTD4854NT4G
ON Semiconductor

NTD4854NT4G

Teilbestand: 474

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V,

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FDMS8660AS
ON Semiconductor

FDMS8660AS

Teilbestand: 436

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.1 mOhm @ 28A, 10V,

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NTD4806N-35G
ON Semiconductor

NTD4806N-35G

Teilbestand: 515

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

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NTF3055L175T3G
ON Semiconductor

NTF3055L175T3G

Teilbestand: 349

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 175 mOhm @ 1A, 5V,

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NTD78N03-35G
ON Semiconductor

NTD78N03-35G

Teilbestand: 376

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

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FDFS2P753AZ
ON Semiconductor

FDFS2P753AZ

Teilbestand: 436

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 115 mOhm @ 3A, 10V,

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NTD65N03RT4G
ON Semiconductor

NTD65N03RT4G

Teilbestand: 287

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD4815NT4G
ON Semiconductor

NTD4815NT4G

Teilbestand: 352

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

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NTMFS4839NHT3G
ON Semiconductor

NTMFS4839NHT3G

Teilbestand: 532

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A (Ta), 64A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD6600N-1G
ON Semiconductor

NTD6600N-1G

Teilbestand: 496

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

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NTD4813NT4G
ON Semiconductor

NTD4813NT4G

Teilbestand: 340

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

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FDPF52N20T
ON Semiconductor

FDPF52N20T

Teilbestand: 461

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 52A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 26A, 10V,

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FDD6796
ON Semiconductor

FDD6796

Teilbestand: 552

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

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FDD6N25TF
ON Semiconductor

FDD6N25TF

Teilbestand: 325

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.2A, 10V,

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NTD4809NA-35G
ON Semiconductor

NTD4809NA-35G

Teilbestand: 505

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

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NTD65N03RT4
ON Semiconductor

NTD65N03RT4

Teilbestand: 352

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

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FDMC8676
ON Semiconductor

FDMC8676

Teilbestand: 452

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), 18A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.9 mOhm @ 14.7A, 10V,

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FDMS8672AS
ON Semiconductor

FDMS8672AS

Teilbestand: 517

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Ta), 28A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 18A, 10V,

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NTD4854N-35G
ON Semiconductor

NTD4854N-35G

Teilbestand: 506

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15.7A (Ta), 128A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V,

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HUF75939P3
ON Semiconductor

HUF75939P3

Teilbestand: 10021

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 22A, 10V,

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NTD20N06LG
ON Semiconductor

NTD20N06LG

Teilbestand: 317

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 10A, 5V,

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FDU7N60NZTU
ON Semiconductor

FDU7N60NZTU

Teilbestand: 130059

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V,

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NTB18N06LG
ON Semiconductor

NTB18N06LG

Teilbestand: 317

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 7.5A, 5V,

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HUF75344S3ST
ON Semiconductor

HUF75344S3ST

Teilbestand: 10082

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 75A, 10V,

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NTD18N06-1G
ON Semiconductor

NTD18N06-1G

Teilbestand: 288

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 9A, 10V,

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NTA4153NT1
ON Semiconductor

NTA4153NT1

Teilbestand: 321

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 915mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V,

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FQA16N25C
ON Semiconductor

FQA16N25C

Teilbestand: 6062

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 270 mOhm @ 8.9A, 10V,

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NTB125N02R
ON Semiconductor

NTB125N02R

Teilbestand: 333

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 95A (Ta), 120.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

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HUFA76645S3S
ON Semiconductor

HUFA76645S3S

Teilbestand: 92

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V,

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