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Dioden - Gleichrichter - Arrays

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MBR20100CTG
ON Semiconductor

MBR20100CTG

Teilbestand: 4485

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FYPF2010DNTU
ON Semiconductor

FYPF2010DNTU

Teilbestand: 56359

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 770mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MMBD2835LT1G
ON Semiconductor

MMBD2835LT1G

Teilbestand: 179270

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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NSDEMP11XV6T1G
ON Semiconductor

NSDEMP11XV6T1G

Teilbestand: 199244

Diodenkonfiguration: 2 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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MSRD620CTT4RG
ON Semiconductor

MSRD620CTT4RG

Teilbestand: 198828

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBAW56LT1G
ON Semiconductor

SBAW56LT1G

Teilbestand: 167855

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 70V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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MMBD1505A
ON Semiconductor

MMBD1505A

Teilbestand: 149424

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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DCB010-TB-E
ON Semiconductor

DCB010-TB-E

Teilbestand: 4220

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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SBS822-S-TL-W
ON Semiconductor

SBS822-S-TL-W

Teilbestand: 185178

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DAP222M3T5G
ON Semiconductor

DAP222M3T5G

Teilbestand: 199252

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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NTSW60200CTG
ON Semiconductor

NTSW60200CTG

Teilbestand: 4459

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSVBAV70DXV6T5G
ON Semiconductor

NSVBAV70DXV6T5G

Teilbestand: 110880

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 150mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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NTSB40200CTG
ON Semiconductor

NTSB40200CTG

Teilbestand: 4226

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DJ85_FYPF1545
ON Semiconductor

DJ85_FYPF1545

Teilbestand: 4306

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSDEMP11XV6T5G
ON Semiconductor

NSDEMP11XV6T5G

Teilbestand: 198998

Diodenkonfiguration: 2 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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SM1MA142WAT1G
ON Semiconductor

SM1MA142WAT1G

Teilbestand: 192587

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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SB80W06T-P-TL-H
ON Semiconductor

SB80W06T-P-TL-H

Teilbestand: 4188

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRB1545CTT4G
ON Semiconductor

MBRB1545CTT4G

Teilbestand: 106434

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 7.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 7.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2535CTLG
ON Semiconductor

MBR2535CTLG

Teilbestand: 42865

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 12.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 12.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DCC010-TB-E
ON Semiconductor

DCC010-TB-E

Teilbestand: 4226

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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MBRB20100CTG
ON Semiconductor

MBRB20100CTG

Teilbestand: 42831

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR60H100CTG
ON Semiconductor

MBR60H100CTG

Teilbestand: 39436

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSR0115CQP6T5G
ON Semiconductor

NSR0115CQP6T5G

Teilbestand: 156757

Diodenkonfiguration: 2 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 15V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 180mV @ 10µA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBS822-S-TL-H
ON Semiconductor

SBS822-S-TL-H

Teilbestand: 4162

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTSB40200CTT4G
ON Semiconductor

NTSB40200CTT4G

Teilbestand: 4168

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBE805-S-TL-W
ON Semiconductor

SBE805-S-TL-W

Teilbestand: 156425

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DCG010-TL-E
ON Semiconductor

DCG010-TL-E

Teilbestand: 4259

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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FFSH10120ADN_F155
ON Semiconductor

FFSH10120ADN_F155

Teilbestand: 4391

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A (DC), Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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MBRB20200CTG
ON Semiconductor

MBRB20200CTG

Teilbestand: 45770

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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DCA010-TB-E
ON Semiconductor

DCA010-TB-E

Teilbestand: 4190

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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SBR200-16JS
ON Semiconductor

SBR200-16JS

Teilbestand: 3954

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 160V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFA60U60DNTU
ON Semiconductor

FFA60U60DNTU

Teilbestand: 3904

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFPF20UP20DPTU
ON Semiconductor

FFPF20UP20DPTU

Teilbestand: 3902

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBT80-10J
ON Semiconductor

SBT80-10J

Teilbestand: 4026

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SB80W06T-H
ON Semiconductor

SB80W06T-H

Teilbestand: 105282

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBT250-04Y-DL-E
ON Semiconductor

SBT250-04Y-DL-E

Teilbestand: 4071

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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