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Dioden - Gleichrichter - Arrays

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SBE812-TL-E
ON Semiconductor

SBE812-TL-E

Teilbestand: 4047

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MMBD1504A_D87Z
ON Semiconductor

MMBD1504A_D87Z

Teilbestand: 3886

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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SBT150-06J
ON Semiconductor

SBT150-06J

Teilbestand: 3967

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBRB81545CTT4G
ON Semiconductor

SBRB81545CTT4G

Teilbestand: 4018

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 7.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBT250-06J
ON Semiconductor

SBT250-06J

Teilbestand: 3955

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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M1MA152WKT1G
ON Semiconductor

M1MA152WKT1G

Teilbestand: 193660

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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MMBD1204_D87Z
ON Semiconductor

MMBD1204_D87Z

Teilbestand: 3897

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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SBR160-10J
ON Semiconductor

SBR160-10J

Teilbestand: 3975

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBT80-10Y-DL-E
ON Semiconductor

SBT80-10Y-DL-E

Teilbestand: 4016

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBT250-04J
ON Semiconductor

SBT250-04J

Teilbestand: 4049

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBT80-10JS
ON Semiconductor

SBT80-10JS

Teilbestand: 4404

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBT250-04L
ON Semiconductor

SBT250-04L

Teilbestand: 4078

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFP12UP20DNTU
ON Semiconductor

FFP12UP20DNTU

Teilbestand: 3847

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFP20UP20DNTU
ON Semiconductor

FFP20UP20DNTU

Teilbestand: 3881

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBRF20L80CTG
ON Semiconductor

MBRF20L80CTG

Teilbestand: 3876

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 670mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBS818-TL-E
ON Semiconductor

SBS818-TL-E

Teilbestand: 3996

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NSVDAN222T1G
ON Semiconductor

NSVDAN222T1G

Teilbestand: 154831

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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SBT100-16LS
ON Semiconductor

SBT100-16LS

Teilbestand: 4089

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 160V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBR100-10JS
ON Semiconductor

SBR100-10JS

Teilbestand: 4076

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SB80W10T-H
ON Semiconductor

SB80W10T-H

Teilbestand: 167243

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MMBD1205_D87Z
ON Semiconductor

MMBD1205_D87Z

Teilbestand: 4476

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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SBR100-10J
ON Semiconductor

SBR100-10J

Teilbestand: 3959

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR20L80CTG
ON Semiconductor

MBR20L80CTG

Teilbestand: 3874

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 670mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFPF12UP20DPTU
ON Semiconductor

FFPF12UP20DPTU

Teilbestand: 3910

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFPF60SB60DSTU
ON Semiconductor

FFPF60SB60DSTU

Teilbestand: 3903

Diodenkonfiguration: 1 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBT80-04J
ON Semiconductor

SBT80-04J

Teilbestand: 4044

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBR200-10JS
ON Semiconductor

SBR200-10JS

Teilbestand: 4072

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR30H80CTG
ON Semiconductor

MBR30H80CTG

Teilbestand: 3944

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 780mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
SBR100-16JS
ON Semiconductor

SBR100-16JS

Teilbestand: 4483

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 160V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBT150-04J
ON Semiconductor

SBT150-04J

Teilbestand: 4001

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBE813-TL-E
ON Semiconductor

SBE813-TL-E

Teilbestand: 4077

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MMBD2838LT1G
ON Semiconductor

MMBD2838LT1G

Teilbestand: 172896

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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SBT80-06LS
ON Semiconductor

SBT80-06LS

Teilbestand: 3973

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBT150-04Y-DL-E
ON Semiconductor

SBT150-04Y-DL-E

Teilbestand: 3994

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBE807-TL-E
ON Semiconductor

SBE807-TL-E

Teilbestand: 3998

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBA120-18J
ON Semiconductor

SBA120-18J

Teilbestand: 1596

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 180V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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