Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

NTND31225CZTAG

Teilbestand: 21663

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA (Ta), 127mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

FW282-TL-E

Teilbestand: 2908

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 35V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 37 mOhm @ 6A, 10V,

VEC2616-TL-H

Teilbestand: 2969

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 1mA,

FDMS3616S

Teilbestand: 2851

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, 18A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

FDW2507NZ

Teilbestand: 2692

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTQD6968NR2G

Teilbestand: 2683

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

NDS9925A

Teilbestand: 2695

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTZD3154NT1H

Teilbestand: 188943

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

ECH8675-TL-H

Teilbestand: 2918

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

FDS6984S

Teilbestand: 2757

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, 8.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 19 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NDS9942

Teilbestand: 2712

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V,

NTMD2P01R2

Teilbestand: 2666

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 16V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDJ1027P

Teilbestand: 2758

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NDS9956A

Teilbestand: 2657

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

NTHD5905T1

Teilbestand: 2720

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 450mV @ 250µA,

MMDF2N02ER2

Teilbestand: 2712

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NDM3000

Teilbestand: 2702

FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NDS8926

Teilbestand: 2667

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

EMH2407-S-TL-H

Teilbestand: 2884

NTND3184NZTAG

Teilbestand: 107176

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

FW344A-TL-2W

Teilbestand: 2933

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 64 mOhm @ 4.5A, 10V,

CPH5617-TL-E

Teilbestand: 186363

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

FDW2503N

Teilbestand: 2761

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDW2506P

Teilbestand: 2777

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 5.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

MMDF2P02ER2G

Teilbestand: 2699

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NDS8947

Teilbestand: 3294

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 250µA,

NTZD3152PT1H

Teilbestand: 106213

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 430mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTGD4161PT1G

Teilbestand: 2811

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 2.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDC6020C

Teilbestand: 2737

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.9A, 4.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTMD5836NLR2G

Teilbestand: 2882

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, 5.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTTD1P02R2G

Teilbestand: 2740

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.45A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

FDW2601NZ

Teilbestand: 2725

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 8.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDG6314P

Teilbestand: 2687

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V,

FDC6322C

Teilbestand: 2713

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA, 460mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTLGD3502NT1G

Teilbestand: 2831

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

NTLJD2105LTBG

Teilbestand: 2816

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,