Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

NTZD3152PT5G

Teilbestand: 2734

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 430mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NDS9955

Teilbestand: 2650

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTJD4401NT4

Teilbestand: 3343

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDW2521C

Teilbestand: 2698

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDQ7698S

Teilbestand: 2709

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A, 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

ECH8653-TL-H

Teilbestand: 2909

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 8V,

EFC6611R-A-TF

Teilbestand: 143033

HUFA76407DK8T

Teilbestand: 2694

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

ECH8697R-TL-W

Teilbestand: 174631

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.6 mOhm @ 5A, 4.5V,

ECH8651R-TL-H

Teilbestand: 196025

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V,

FDS4895C

Teilbestand: 2830

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, 4.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 250µA,

ECH8651R-TL-HX

Teilbestand: 2884

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 5A, 4.5V,

NTLJD3181PZTBG

Teilbestand: 2812

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTMD6N02R2

Teilbestand: 2688

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.92A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

FDMJ1028N

Teilbestand: 2696

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDS6994S

Teilbestand: 3320

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A, 8.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTHC5513T1

Teilbestand: 2668

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, 2.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

NDS9943

Teilbestand: 2643

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 10V,

FDS6961A_F011

Teilbestand: 2716

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDSS2407

Teilbestand: 105427

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 62V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

MVDF1N05ER2G

Teilbestand: 2912

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

MMDF1N05ER2G

Teilbestand: 2931

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDW2503NZ

Teilbestand: 2736

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTZD3154NT2G

Teilbestand: 2755

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

FDS4935

Teilbestand: 2757

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FD6M045N06

Teilbestand: 2803

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

NTLJD4116NT1G

Teilbestand: 2763

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

FDS6894A

Teilbestand: 2729

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

ECH8664R-TL-H

Teilbestand: 2888

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23.5 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

FDW2504P

Teilbestand: 2772

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 43 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTLJD3115PTAG

Teilbestand: 2743

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTLUD3191PZTAG

Teilbestand: 2777

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

EMH2408-TL-H

Teilbestand: 2843

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

FDS8934A

Teilbestand: 2753

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

MMDF2N02ER2G

Teilbestand: 2690

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTHD2102PT1G

Teilbestand: 3360

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,