Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

FW276-TL-2H

Teilbestand: 3348

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 450V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 700mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.1 Ohm @ 350mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4.5V @ 1mA,

NVMD6N03R2G

Teilbestand: 2901

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

MCH6601-TL-E

Teilbestand: 168759

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.4 Ohm @ 50mA, 4V,

NTQD6866R2G

Teilbestand: 2711

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

NTUD3128NT5G

Teilbestand: 2747

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTLJD3181PZTAG

Teilbestand: 2807

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

FDY4000CZ

Teilbestand: 130404

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA, 350mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

FDG6318P

Teilbestand: 123017

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 780 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

ECH8667-TL-HX

Teilbestand: 2888

EFC4618R-P-TR

Teilbestand: 2908

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

ECH8653-S-TL-H

Teilbestand: 2924

MCH6603-TL-H

Teilbestand: 2889

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 140mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 Ohm @ 40mA, 4V,

FDMS9620S

Teilbestand: 127765

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21.5 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

EMH2417R-TL-H

Teilbestand: 156902

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.3V @ 1mA,

FDW2511NZ

Teilbestand: 2697

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 7.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NDS9947

Teilbestand: 2668

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTJD4001NT1

Teilbestand: 2735

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

FDS6993

Teilbestand: 2762

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.3A, 6.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTJD4105CT4G

Teilbestand: 2731

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA, 775mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTJD2152PT1G

Teilbestand: 2674

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 775mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

NTMFD4C86NT3G

Teilbestand: 29372

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.3A, 18.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.4 mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

NTJD4158CT2G

Teilbestand: 2806

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA, 880mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

NTHD4401PT3

Teilbestand: 2756

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 2.1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

FQS4901TF

Teilbestand: 139071

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 450mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 Ohm @ 225mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

FDS4885C

Teilbestand: 2726

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A, 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 250µA,

HUF76407DK8T

Teilbestand: 2709

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 3.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTHD3100CT1

Teilbestand: 2734

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, 3.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

ECH8662-TL-H

Teilbestand: 2834

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

FDQ7238AS

Teilbestand: 2841

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A, 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.2 mOhm @ 11A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

NTQD6866R2

Teilbestand: 2733

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

EFC4618R-TR

Teilbestand: 2913

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard,

SSD2007ASTF

Teilbestand: 2740

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

FD6M033N06

Teilbestand: 2812

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 73A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 40A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

FDS6912

Teilbestand: 99723

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

FDM2509NZ

Teilbestand: 2731

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

NTUD3127CT5G

Teilbestand: 2739

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA, 140mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,