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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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NSVRB521S30T1G
ON Semiconductor

NSVRB521S30T1G

Teilbestand: 155385

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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NSR0340V2T1G
ON Semiconductor

NSR0340V2T1G

Teilbestand: 162532

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 250mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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NRVBA160T3G
ON Semiconductor

NRVBA160T3G

Teilbestand: 112180

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FSV540
ON Semiconductor

FSV540

Teilbestand: 160727

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FSV1550V
ON Semiconductor

FSV1550V

Teilbestand: 183982

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 510mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBAT54XV2T1G
ON Semiconductor

SBAT54XV2T1G

Teilbestand: 165267

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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FS8G
ON Semiconductor

FS8G

Teilbestand: 127537

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3.37µs,

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MUR805G
ON Semiconductor

MUR805G

Teilbestand: 83304

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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MBRA2H100T3G
ON Semiconductor

MBRA2H100T3G

Teilbestand: 175646

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS10120EMFST3G
ON Semiconductor

NTS10120EMFST3G

Teilbestand: 177171

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVTS360ETFSWFTAG
ON Semiconductor

NRVTS360ETFSWFTAG

Teilbestand: 266

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVTS12120MFST1G
ON Semiconductor

NRVTS12120MFST1G

Teilbestand: 147496

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2045EMFST3G
ON Semiconductor

MBR2045EMFST3G

Teilbestand: 132737

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR5100MFST3G
ON Semiconductor

MBR5100MFST3G

Teilbestand: 103152

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS10120MFST1G
ON Semiconductor

NTS10120MFST1G

Teilbestand: 115740

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RHRP30120
ON Semiconductor

RHRP30120

Teilbestand: 31591

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.2V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 85ns,

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RURG8060-F085
ON Semiconductor

RURG8060-F085

Teilbestand: 579

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 90ns,

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NRVTS8120EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS8120EMFST1G

Teilbestand: 177405

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2045EMFST1G
ON Semiconductor

MBR2045EMFST1G

Teilbestand: 117978

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR30H100MFST1G
ON Semiconductor

MBR30H100MFST1G

Teilbestand: 117113

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR10100MFST3G
ON Semiconductor

MBR10100MFST3G

Teilbestand: 199531

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MSR1560G
ON Semiconductor

MSR1560G

Teilbestand: 44943

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 45ns,

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NRVB560MFST3G
ON Semiconductor

NRVB560MFST3G

Teilbestand: 137725

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 780mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVTS1545EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS1545EMFST3G

Teilbestand: 168726

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS10100EMFST3G
ON Semiconductor

NTS10100EMFST3G

Teilbestand: 159608

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVB460MFST3G
ON Semiconductor

NRVB460MFST3G

Teilbestand: 160496

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RURD420S9A_T
ON Semiconductor

RURD420S9A_T

Teilbestand: 2595

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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NTS12120EMFST3G
ON Semiconductor

NTS12120EMFST3G

Teilbestand: 197578

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR8H100MFST1G
ON Semiconductor

MBR8H100MFST1G

Teilbestand: 130457

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVTS10120EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS10120EMFST1G

Teilbestand: 198726

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVB1240MFST3G
ON Semiconductor

NRVB1240MFST3G

Teilbestand: 104946

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS10120EMFST1G
ON Semiconductor

NTS10120EMFST1G

Teilbestand: 134113

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS12100EMFST1G
ON Semiconductor

NTS12100EMFST1G

Teilbestand: 107392

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR540MFST1G
ON Semiconductor

MBR540MFST1G

Teilbestand: 134413

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS10100MFST3G
ON Semiconductor

NTS10100MFST3G

Teilbestand: 176173

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 690mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS1045MFST1G
ON Semiconductor

NTS1045MFST1G

Teilbestand: 162251

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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