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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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NRVB2045EMFST3G
ON Semiconductor

NRVB2045EMFST3G

Teilbestand: 126441

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVB860MFST3G
ON Semiconductor

NRVB860MFST3G

Teilbestand: 148816

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
NRVTS12120EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS12120EMFST3G

Teilbestand: 148989

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 830mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR440MFST1G
ON Semiconductor

MBR440MFST1G

Teilbestand: 175331

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBR460MFST3G
ON Semiconductor

MBR460MFST3G

Teilbestand: 186301

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVB8H100MFSWFT3G
ON Semiconductor

NRVB8H100MFSWFT3G

Teilbestand: 177193

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVB5100MFST3G
ON Semiconductor

NRVB5100MFST3G

Teilbestand: 146930

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVTS1045EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS1045EMFST3G

Teilbestand: 108981

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR860MFST3G
ON Semiconductor

MBR860MFST3G

Teilbestand: 194600

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVB8H100MFSWFT1G
ON Semiconductor

NRVB8H100MFSWFT1G

Teilbestand: 180069

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS1545MFST1G
ON Semiconductor

NTS1545MFST1G

Teilbestand: 143654

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVTS12100EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS12100EMFST3G

Teilbestand: 188227

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVB830MFST1G
ON Semiconductor

NRVB830MFST1G

Teilbestand: 176738

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR5H100MFST3G
ON Semiconductor

MBR5H100MFST3G

Teilbestand: 172015

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR3100RLG
ON Semiconductor

MBR3100RLG

Teilbestand: 141633

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 790mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVTS1245EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS1245EMFST1G

Teilbestand: 182400

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR1240MFST3G
ON Semiconductor

MBR1240MFST3G

Teilbestand: 186855

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVB30H100MFST3G
ON Semiconductor

NRVB30H100MFST3G

Teilbestand: 125427

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2045MFST1G
ON Semiconductor

MBR2045MFST1G

Teilbestand: 166063

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVB1045MFST3G
ON Semiconductor

NRVB1045MFST3G

Teilbestand: 153379

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS1045MFST3G
ON Semiconductor

NTS1045MFST3G

Teilbestand: 186363

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR830MFST3G
ON Semiconductor

MBR830MFST3G

Teilbestand: 168778

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR8H100MFST3G
ON Semiconductor

MBR8H100MFST3G

Teilbestand: 169137

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS10120MFST3G
ON Semiconductor

NTS10120MFST3G

Teilbestand: 173561

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVTS1045EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS1045EMFST1G

Teilbestand: 184646

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS12100MFST3G
ON Semiconductor

NTS12100MFST3G

Teilbestand: 117646

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 12A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 12A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel
MBR1045MFST3G
ON Semiconductor

MBR1045MFST3G

Teilbestand: 161056

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVTS10120MFST3G
ON Semiconductor

NRVTS10120MFST3G

Teilbestand: 101101

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 120V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 820mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVB2045EMFST1G
ON Semiconductor

NRVB2045EMFST1G

Teilbestand: 112369

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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FFA40UP35STU
ON Semiconductor

FFA40UP35STU

Teilbestand: 23196

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 350V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 55ns,

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NRVB8H100MFST3G
ON Semiconductor

NRVB8H100MFST3G

Teilbestand: 180766

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS1045EMFST3G
ON Semiconductor

NTS1045EMFST3G

Teilbestand: 175811

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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MBR2045MFST3G
ON Semiconductor

MBR2045MFST3G

Teilbestand: 186886

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVB10100MFST3G
ON Semiconductor

NRVB10100MFST3G

Teilbestand: 190017

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NRVB540MFST3G
ON Semiconductor

NRVB540MFST3G

Teilbestand: 125778

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 580mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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NTS1045EMFST1G
ON Semiconductor

NTS1045EMFST1G

Teilbestand: 109705

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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