Dioden - Gleichrichter - Einzeln

DSP10G-TR-E

Teilbestand: 2296

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBRS340PT3G

Teilbestand: 2297

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

FFH60UP40S

Teilbestand: 18615

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 85ns,

FFSH5065A

Teilbestand: 2728

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 50A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

MBRD320G

Teilbestand: 92762

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

FFSH15120A

Teilbestand: 2864

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 26A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 15A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

MBRS360PT3G

Teilbestand: 2361

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

NGTD13R120F2WP

Teilbestand: 83441

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 25A,

FFH60UP40S3

Teilbestand: 17347

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 85ns,

FFSH20120A

Teilbestand: 3088

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

MBRS540PT3G

Teilbestand: 2336

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RHRG30120

Teilbestand: 27057

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.2V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 85ns,

FFSH20120A-F085

Teilbestand: 2878

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A (DC), Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

MURF1560G

Teilbestand: 51664

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

FFH75H60S

Teilbestand: 33664

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 75A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

FFSH3065A

Teilbestand: 2788

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 26A (DC), Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

RHRP1560

Teilbestand: 58179

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 40ns,

SB05-05C-M-TB-E

Teilbestand: 5343

MBR1035G

Teilbestand: 92783

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RHRP3060

Teilbestand: 43910

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.1V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 45ns,

UD0506T-TL-H

Teilbestand: 194043

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

NRVBB1645T4G

Teilbestand: 69753

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 16A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

FFSP0865A

Teilbestand: 4015

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 650V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 13A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 8A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 0ns,

ISL9R1560P2-F085

Teilbestand: 4321

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

FFSP08120A

Teilbestand: 13954

Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRD330G

Teilbestand: 182939

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RHRP30120-F102

Teilbestand: 3982

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.2V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 85ns,

UD1006FR-H

Teilbestand: 104945

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

MUR2100EG

Teilbestand: 149532

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 100ns,

RURG3060

Teilbestand: 25198

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

RHRP15120-F102

Teilbestand: 4238

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.2V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

FFPF08S60STTU

Teilbestand: 122549

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.6V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

NSR05F40QNXT5G

Teilbestand: 155560

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MUR810G

Teilbestand: 80514

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 975mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

NSR10F30QNXT5G

Teilbestand: 162476

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RD0306T-TL-H

Teilbestand: 143234

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,