Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Rohm Semiconductor

EM6K33T2R

Teilbestand: 182538

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M4FRATB

Teilbestand: 91

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), 7A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K31FRATB

Teilbestand: 99

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS6K1TR

Teilbestand: 117098

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 238 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8J4TR

Teilbestand: 171717

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K3TB

Teilbestand: 123516

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8KA4TB

Teilbestand: 198737

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J2FU6TB

Teilbestand: 120135

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SM6K2T110

Teilbestand: 120997

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UT6J3TCR

Teilbestand: 114339

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UT6K3TCR

Teilbestand: 167007

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US6M11TR

Teilbestand: 108081

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K3TB1

Teilbestand: 55153

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UT6JA2TCR

Teilbestand: 157843

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8J65TB1

Teilbestand: 100136

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UM6K33NTN

Teilbestand: 191317

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US6J2TR

Teilbestand: 151598

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

TT8J1TR

Teilbestand: 2958

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 61 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K1TB1

Teilbestand: 189574

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UT6MA3TCR

Teilbestand: 168810

FET-Typ: N and P-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US6K4TR

Teilbestand: 182371

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8M51TR

Teilbestand: 132178

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 325 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

HP8K22TB

Teilbestand: 139519

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A, 57A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J5FU6TB

Teilbestand: 68274

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K32TB1

Teilbestand: 109582

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UM6K31NFHATCN

Teilbestand: 9908

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M5TB1

Teilbestand: 102075

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M3FU6TB

Teilbestand: 134363

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

MP6K13TCR

Teilbestand: 2950

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS6M4TR

Teilbestand: 185861

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M3TB1

Teilbestand: 180841

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M41TB1

Teilbestand: 127833

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QH8KA4TCR

Teilbestand: 78816

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

TT8J21TR

Teilbestand: 169061

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8J66TB1

Teilbestand: 75609

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

MP6M11TCR

Teilbestand: 2920

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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