Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 5

SP8M2FU6TB

Teilbestand: 156997

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

MP6K31TR

Teilbestand: 2806

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 290 mOhm @ 2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M5FU6TB

Teilbestand: 3289

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M8TB

Teilbestand: 3276

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

MP6M12TCR

Teilbestand: 2901

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J1TB

Teilbestand: 2724

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K22FU6TB

Teilbestand: 115178

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

VT6K1T2CR

Teilbestand: 166434

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 100µA,

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Rohm Semiconductor

SP8M70TB1

Teilbestand: 89658

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.63 Ohm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8K51TR

Teilbestand: 139893

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A,

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Rohm Semiconductor

QH8MA3TCR

Teilbestand: 185267

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K12TB1

Teilbestand: 185191

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UM6K34NTCN

Teilbestand: 167601

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 800mV @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M24TB1

Teilbestand: 112720

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UM6J1NTN

Teilbestand: 145064

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8J13TR

Teilbestand: 157844

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M11TB1

Teilbestand: 138257

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

EM6K34T2CR

Teilbestand: 122186

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 0.9V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 800mV @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS6J11TR

Teilbestand: 168987

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

EM6K7T2R

Teilbestand: 107116

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8K2TR

Teilbestand: 107158

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS6J3TR

Teilbestand: 190781

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UM6K31NTN

Teilbestand: 169406

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J66TB1

Teilbestand: 59328

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A,

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Rohm Semiconductor

SH8M2TB1

Teilbestand: 104614

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QH8KA2TCR

Teilbestand: 115998

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8J5TR

Teilbestand: 118611

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8J2TR

Teilbestand: 191347

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K41GZETB

Teilbestand: 108314

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8K13TCR

Teilbestand: 183897

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K31TB1

Teilbestand: 132551

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8KA2GZETB

Teilbestand: 158789

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K5TB1

Teilbestand: 122471

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8K21TR

Teilbestand: 194558

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8M12TCR

Teilbestand: 150953

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M14TB1

Teilbestand: 116026

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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