Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 5

SH8K4TB1

Teilbestand: 107909

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8J1TR

Teilbestand: 162895

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8J11TCR

Teilbestand: 180714

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K2TB1

Teilbestand: 169908

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K2TB

Teilbestand: 195188

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K15TB1

Teilbestand: 137046

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8K11TCR

Teilbestand: 198738

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US6M1TR

Teilbestand: 141982

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A, 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M13GZETB

Teilbestand: 173570

FET-Typ: N and P-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J5TB

Teilbestand: 50648

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US6M2TR

Teilbestand: 169040

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M4TB1

Teilbestand: 91212

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QH8KA1TCR

Teilbestand: 125338

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8M13TCR

Teilbestand: 158531

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8J2TB

Teilbestand: 2628

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M41GZETB

Teilbestand: 127920

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QH8MA2TCR

Teilbestand: 145176

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8K22TB1

Teilbestand: 169285

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS6M3TR

Teilbestand: 170246

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS6J1TR

Teilbestand: 160158

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

EM6K1T2R

Teilbestand: 188653

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

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Rohm Semiconductor

QS5K2TR

Teilbestand: 110824

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QH8JA1TCR

Teilbestand: 135582

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

UM6K1NTN

Teilbestand: 176441

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 100µA,

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Rohm Semiconductor

QH8MA4TCR

Teilbestand: 163064

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A, 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8M11TCR

Teilbestand: 196980

FET-Typ: N and P-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A,

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Rohm Semiconductor

SP8J65TB1

Teilbestand: 69246

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8M12TB1

Teilbestand: 181504

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

QS8J12TCR

Teilbestand: 145360

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8J31GZETB

Teilbestand: 96459

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SH8J62TB1

Teilbestand: 138723

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

Teilbestand: 166276

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

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Rohm Semiconductor

QS6K21TR

Teilbestand: 129283

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

EM6M2T2R

Teilbestand: 127455

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 200mA, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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