Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Rohm Semiconductor

RF05VA2STR

Teilbestand: 148427

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

RBR3L40BTE25

Teilbestand: 158676

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RB168LAM100TFTR

Rohm Semiconductor

RB168LAM100TFTR

Teilbestand: 8469

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB060MM-40TR

Teilbestand: 126015

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 560mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB050L-40TE25

Teilbestand: 132612

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB886CST2R

Teilbestand: 126915

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 5V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 350mV @ 1mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RB068L-60TE25

Teilbestand: 148334

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR1LAM60ATR

Teilbestand: 198967

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB168M150TR

Teilbestand: 163009

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RSX071VA-30TR

Teilbestand: 130407

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 700mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 420mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR2L40ATE25

Teilbestand: 142457

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RSX051VA-30TR

Teilbestand: 101000

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 390mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB168LAM150TR

Teilbestand: 153324

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB162M-60TR

Teilbestand: 121079

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB055LA-40TR

Teilbestand: 173134

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RB751VM-40TE-17

Rohm Semiconductor

RB751VM-40TE-17

Teilbestand: 122740

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 370mV @ 1mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RB162LAM-60TR

Teilbestand: 194284

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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RB168LAM-40TFTR

Rohm Semiconductor

RB168LAM-40TFTR

Teilbestand: 8476

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB068LAM-60TR

Teilbestand: 170105

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB160VA-40TR

Teilbestand: 125965

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB161L-40TE25

Teilbestand: 109440

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 400mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR2LAM30ATR

Teilbestand: 144212

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB160M-50TR

Teilbestand: 173669

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 360mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB056L-40TE25

Teilbestand: 196885

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 670mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB168LAM-60TR

Teilbestand: 178376

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB051M-2YTR

Teilbestand: 118363

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR1MM30ATR

Teilbestand: 146721

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RFN1L7STE25

Teilbestand: 177255

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 700V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 800mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 80ns,

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Rohm Semiconductor

RRE02VS4SGTR

Teilbestand: 123146

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 200mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB168LAM-30TR

Teilbestand: 111694

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 690mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB060M-60DDTR

Teilbestand: 136388

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 610mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB150M-30TR

Teilbestand: 155982

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 480mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB055L-30TE25

Teilbestand: 122475

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB068L-40TE25

Teilbestand: 105902

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 690mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR2LAM40ATFTR

Teilbestand: 8520

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR3LAM30BTFTR

Teilbestand: 8464

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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