Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Rohm Semiconductor

RF05VA1STR

Teilbestand: 139000

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 980mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

RR2LAM6STR

Teilbestand: 183100

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB160LAM-90TR

Teilbestand: 180568

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR3LAM40ATFTR

Teilbestand: 8530

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB550VA-30TR

Teilbestand: 148622

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RF201L4STE25

Teilbestand: 185599

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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Rohm Semiconductor

RB068L100TE25

Teilbestand: 138974

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB160L-90TE25

Teilbestand: 176177

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 90V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 730mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RF101L2SDDTE25

Teilbestand: 188773

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 870mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB520CS-30T2R

Teilbestand: 142797

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RF103L2STE25

Teilbestand: 183336

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20ns,

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Rohm Semiconductor

RB068LAM-40TR

Teilbestand: 181402

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 690mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB068LAM150TR

Teilbestand: 150514

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB060LAM-40TR

Teilbestand: 197933

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR1LAM30ATFTR

Teilbestand: 8471

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR5LAM60ATFTR

Teilbestand: 8635

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB168L-40TE25

Teilbestand: 165030

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB068LAM-30TR

Teilbestand: 111739

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB060L-40TE25

Teilbestand: 177392

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RSX301L-30TE25

Teilbestand: 119926

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 420mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RFN2LAM4STR

Teilbestand: 8664

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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Rohm Semiconductor

RF071L4STE25

Teilbestand: 108083

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 700mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Rohm Semiconductor

RB051LA-40TR

Teilbestand: 100393

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RSX201VA-30TR

Teilbestand: 142509

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB081L-20TE25

Teilbestand: 191611

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB411VA-50TR

Teilbestand: 142804

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RFN1L6STE25

Teilbestand: 188174

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 800mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.45V @ 800mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Rohm Semiconductor

RB500V-40TE-17

Teilbestand: 189305

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 10mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Rohm Semiconductor

RB168MM100TR

Teilbestand: 137529

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB168M-60TR

Teilbestand: 185171

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB168L150TE25

Teilbestand: 122919

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB168M-40TR

Teilbestand: 190657

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RBR3LAM60BTFTR

Teilbestand: 4914

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RSX201L-30TE25

Teilbestand: 150194

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 440mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB162M-40TR

Teilbestand: 199082

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 550mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Rohm Semiconductor

RB168LAM100TR

Teilbestand: 110889

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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