Erinnerung

M34D64-WMN6T

M34D64-WMN6T

Teilbestand: 956

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M24C04-MN6T

M24C04-MN6T

Teilbestand: 9230

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M93S56-WMN6

M93S56-WMN6

Teilbestand: 1340

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (128 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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NAND256W4A0AN6E

NAND256W4A0AN6E

Teilbestand: 7609

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 50ns,

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M27C512-70C6

M27C512-70C6

Teilbestand: 8395

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 512Kb (64K x 8),

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M30LW128D110ZA6

M30LW128D110ZA6

Teilbestand: 8949

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 128Mb (8M x 8 x 2, 4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 110ns,

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M27W201-80K6

M27W201-80K6

Teilbestand: 8685

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 2Mb (256K x 8),

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M27C1001-12B1

M27C1001-12B1

Teilbestand: 7546

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Mb (128K x 8),

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M58LW032D110N6

M58LW032D110N6

Teilbestand: 9039

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

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M25P10-AVMN6T

M25P10-AVMN6T

Teilbestand: 9370

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Taktfrequenz: 50MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms, 15ms,

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M24C16-BN6

M24C16-BN6

Teilbestand: 9523

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M27C4001-80XF1

M27C4001-80XF1

Teilbestand: 8100

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - UV, Speichergröße: 4Mb (512K x 8),

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M93C56-MN6T

M93C56-MN6T

Teilbestand: 1216

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M24C04-WMN6T

M24C04-WMN6T

Teilbestand: 986

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M27C64A-20F1

M27C64A-20F1

Teilbestand: 8602

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - UV, Speichergröße: 64Kb (8K x 8),

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M27C512-90B6

M27C512-90B6

Teilbestand: 908

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 512Kb (64K x 8),

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M27C256B-90F6

M27C256B-90F6

Teilbestand: 8009

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - UV, Speichergröße: 256Kb (32K x 8),

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M27C512-70XF1

M27C512-70XF1

Teilbestand: 8364

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - UV, Speichergröße: 512Kb (64K x 8),

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M27C256B-10B6

M27C256B-10B6

Teilbestand: 7872

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 256Kb (32K x 8),

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M27C1001-12F1

M27C1001-12F1

Teilbestand: 7664

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - UV, Speichergröße: 1Mb (128K x 8),

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M48Z128Y-70PM1

M48Z128Y-70PM1

Teilbestand: 1515

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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M68AW256ML70ND6T

M68AW256ML70ND6T

Teilbestand: 993

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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M93C46-WMN6T

M93C46-WMN6T

Teilbestand: 1205

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M27C512-15B6

M27C512-15B6

Teilbestand: 8305

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 512Kb (64K x 8),

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M28W640ECB90N6

M28W640ECB90N6

Teilbestand: 8755

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

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M27W401-80K6

M27W401-80K6

Teilbestand: 8705

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 4Mb (512K x 8),

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M27C256B-90C6

M27C256B-90C6

Teilbestand: 8052

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 256Kb (32K x 8),

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M95080-WMN6T

M95080-WMN6T

Teilbestand: 1180

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 8Kb (1K x 8), Taktfrequenz: 20MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M27C1001-10F1

M27C1001-10F1

Teilbestand: 7630

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - UV, Speichergröße: 1Mb (128K x 8),

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M29W800DT90N6

M29W800DT90N6

Teilbestand: 8991

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

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M93C46-WMN6

M93C46-WMN6

Teilbestand: 1305

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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M48Z35AV-10MH1E

M48Z35AV-10MH1E

Teilbestand: 1551

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

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M29F040B45K1T

M29F040B45K1T

Teilbestand: 9136

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

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M68AW031AM70N6T

M68AW031AM70N6T

Teilbestand: 9170

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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M27C256B-15B1

M27C256B-15B1

Teilbestand: 7969

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 256Kb (32K x 8),

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M24C04-BN6

M24C04-BN6

Teilbestand: 9487

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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