Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZD17C180P RTG

Teilbestand: 233

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 180V, Toleranz: ±6.38%, Leistung max: 800mW, Impedanz (Max) (Zzt): 450 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 130V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C56P RTG

Teilbestand: 199

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±7.14%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 43V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C56P RHG

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±7.14%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 43V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZD27C22P RTG

Teilbestand: 176

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22.05V, Toleranz: ±5.66%, Leistung max: 1W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 200mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B2V7 L0G

Teilbestand: 156

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B30 L1G

Teilbestand: 194

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 22V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B3V0 L0G

Teilbestand: 220

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B30 L1G

Teilbestand: 218

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 22V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C24 L0G

Teilbestand: 199

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B11 L0G

Teilbestand: 221

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C4V3 L0G

Teilbestand: 162

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 75 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B43 L1G

Teilbestand: 191

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 32V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B3V3 L1G

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C20 R0G

Teilbestand: 196

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 24 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B5V6 L1G

Teilbestand: 209

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B24 L1G

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B18 L1G

Teilbestand: 184

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C16 R0G

Teilbestand: 202

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C5V6 L0G

Teilbestand: 203

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B16 L1G

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C3V3 L1G

Teilbestand: 217

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C24 L1G

Teilbestand: 220

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B2V4 L1G

Teilbestand: 233

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C36 L0G

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C2V7 L0G

Teilbestand: 158

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C8V2 R0G

Teilbestand: 155

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 5 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 6.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C6V2 L1G

Teilbestand: 181

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B12 L1G

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 9.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B3V0 L1G

Teilbestand: 233

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C3V9 L0G

Teilbestand: 170

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B3V6 L0G

Teilbestand: 197

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B4V3 L1G

Teilbestand: 248

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 75 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C62 L1G

Teilbestand: 210

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B10 L1G

Teilbestand: 164

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C6V8 L0G

Teilbestand: 190

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B2V7 L1G

Teilbestand: 235

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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