Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZV55C18 L0G

Teilbestand: 245

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C13 L1G

Teilbestand: 174

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 26 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B39 L1G

Teilbestand: 244

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 28V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B27 L1G

Teilbestand: 210

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C43 L0G

Teilbestand: 162

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 32V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B10 L0G

Teilbestand: 247

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C27 L1G

Teilbestand: 177

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C30 L1G

Teilbestand: 158

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 22V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B68 L1G

Teilbestand: 196

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 68V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 160 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 51V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C10 L1G

Teilbestand: 215

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B9V1 L1G

Teilbestand: 230

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.8V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C6V2 R0G

Teilbestand: 160

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 4 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B12 L1G

Teilbestand: 230

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 9.1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C43 L1G

Teilbestand: 218

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 32V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C6V2 L0G

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B56 L1G

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 135 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 42V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C2V4 L1G

Teilbestand: 164

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C75 L0G

Teilbestand: 208

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 56V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B20 L1G

Teilbestand: 177

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B7V5 L1G

Teilbestand: 154

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B6V8 L1G

Teilbestand: 218

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C4V7 R0G

Teilbestand: 201

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 13 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C16 L1G

Teilbestand: 169

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B56 L1G

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 56V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 135 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 42V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B39 L1G

Teilbestand: 248

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 28V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C51 L1G

Teilbestand: 214

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 38V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B20 L0G

Teilbestand: 243

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B2V4 L0G

Teilbestand: 157

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.4V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 50µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C10 L0G

Teilbestand: 175

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C2V7 L1G

Teilbestand: 247

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C4V7 L1G

Teilbestand: 246

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B24 L1G

Teilbestand: 181

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C18 L1G

Teilbestand: 197

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B36 L0G

Teilbestand: 216

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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BZV55C10 L1G

Teilbestand: 228

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7.5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B62 L1G

Teilbestand: 164

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 62V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 150 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 47V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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