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Dioden - Brückengleichrichter

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KBP155G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP155G C2G

Teilbestand: 8831

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
KBP154G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP154G C2

Teilbestand: 2929

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel
KBP104G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP104G C2

Teilbestand: 8860

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel
KBP155G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP155G C2

Teilbestand: 8845

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
KBP204G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP204G C2G

Teilbestand: 8784

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel
KBP106G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP106G C2

Teilbestand: 8819

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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TS25P07G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P07G D2G

Teilbestand: 3600

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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KBP206G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP206G C2

Teilbestand: 8840

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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KBPF406G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBPF406G B0G

Teilbestand: 8807

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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TS15P07G-K C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P07G-K C2G

Teilbestand: 8841

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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KBP105G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP105G C2G

Teilbestand: 2894

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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KBP304G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP304G C2

Teilbestand: 8811

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

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KBPF204G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBPF204G B0G

Teilbestand: 8846

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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TS10K60 D3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS10K60 D3G

Teilbestand: 4728

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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KBP157G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP157G C2G

Teilbestand: 2962

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1000V,

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KBP152G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP152G C2G

Teilbestand: 8818

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

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KBP102G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP102G C2G

Teilbestand: 8816

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 100V,

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KBPF206G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBPF206G B0G

Teilbestand: 8817

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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GBU407 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU407 D2G

Teilbestand: 9464

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 1kV, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 1000V,

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GBU406 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU406 D2G

Teilbestand: 5260

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

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DBL106G C1G
Taiwan Semiconductor Corporation

DBL106G C1G

Teilbestand: 4222

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 800V,

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GBU806 D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

GBU806 D2G

Teilbestand: 3000

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 800V,

Wunschzettel
KBP104G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP104G C2G

Teilbestand: 2902

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 400V,

Wunschzettel
KBP151G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP151G C2G

Teilbestand: 2895

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel
TS15P06G-K D2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS15P06G-K D2G

Teilbestand: 8856

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 15A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

Wunschzettel
KBP305G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP305G C2G

Teilbestand: 8858

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

Wunschzettel
KBPF405G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBPF405G B0G

Teilbestand: 8834

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 600V,

Wunschzettel
TS25P06G-K C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TS25P06G-K C2G

Teilbestand: 8841

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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KBP101G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP101G C2G

Teilbestand: 8822

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

Wunschzettel
UR3KB80 C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

UR3KB80 C2G

Teilbestand: 6350

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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KBP106G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP106G C2G

Teilbestand: 8800

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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KBP203G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP203G C2G

Teilbestand: 8836

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 200V,

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YBS2204G RAG
Taiwan Semiconductor Corporation

YBS2204G RAG

Teilbestand: 9966

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 970mV @ 2.2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 5µA @ 400V,

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KBP201G C2
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP201G C2

Teilbestand: 8771

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 50V,

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KBP156G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP156G C2G

Teilbestand: 8811

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1.5A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 800V,

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KBP205G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation

KBP205G C2G

Teilbestand: 8818

Diodentyp: Single Phase, Technologie: Standard, Spannung - Spitzenumkehr (max.): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 2A, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 600V,

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